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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SBS36HREG Taiwan Semiconductor Corporation Sbs36hreg -
RFQ
 ECAD 6468 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota SBS36 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 500 mv @ 3 a 500 µA A 60 V 3 a Fase Única 60 v
ABS2 REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS2 Reg -
RFQ
 ECAD 1596 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota ABS2 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 950 mV @ 400 mA 10 µA A 200 V 800 mA Fase Única 200 v
ABS6HREG Taiwan Semiconductor Corporation ABS6HREG -
RFQ
 ECAD 1648 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota ABS6 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 950 mV @ 400 mA 10 µA A 600 V 800 mA Fase Única 600 v
BZD17C36P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RFG -
RFQ
 ECAD 5606 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 27 V 36 v 40 ohms
EABS1D REG Taiwan Semiconductor Corporation Reg -
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota EABS1 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 950 mV @ 1,5 A 1 µA A 200 V 1 a Fase Única 200 v
EABS1JHREG Taiwan Semiconductor Corporation EABS1JHREG -
RFQ
 ECAD 1625 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota EABS1 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,7 V @ 1 A 1 µA A 600 V 1 a Fase Única 600 v
BZD17C120P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P TAP -
RFQ
 ECAD 6879 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 91 V 120 v 300 ohms
BZX55C6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C6V8 A0G -
RFQ
 ECAD 7808 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 3 V 6,8 v 8 ohms
BZX79C18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C18 A0G -
RFQ
 ECAD 6780 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 50 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
BZX585B6V8 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B6V8 RSG 0,0476
RFQ
 ECAD 3907 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX585B6 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 1,8 µA a 4 V 6,8 v 15 ohms
GBU2504 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2504 1.2138
RFQ
 ECAD 6780 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU2504 Padrão GBU - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,2 V @ 25 A 10 µA A 400 V 25 a Fase Única 400 v
GBU2505 D2 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2505 D2 2.7500
RFQ
 ECAD 822 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU2505 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,2 V @ 25 A 10 µA A 600 V 25 a Fase Única 600 v
GBL06 Taiwan Semiconductor Corporation GBL06 1.2200
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL06 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 µA A 600 V 4 a Fase Única 600 v
GBU607 Taiwan Semiconductor Corporation GBU607 1.3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU607 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V 6 a Fase Única 1 kv
DBLS102G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G 0,3825
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DBLS102 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 15 A 2 µA A 100 V 1 a Fase Única 100 v
DBLS209G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS209G 0,7700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DBLS209 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 1,3 V @ 2 A 2 µA A 1400 V 2 a Fase Única 1,4 kV
MBRS10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150 0,5250
RFQ
 ECAD 3116 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS10150 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS10150TR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,05 V @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a -
KBP305G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP305G C2G -
RFQ
 ECAD 8654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 3 A 10 µA A 600 V 3 a Fase Única 600 v
BZY55C5V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C5V1 RYG -
RFQ
 ECAD 1955 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 1 V 5.1 v 50 ohms
GBL205 Taiwan Semiconductor Corporation GBL205 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL205 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 µA A 600 V 2 a Fase Única 600 v
DBLS105G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS105G 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DBLS105 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 1,1 V @ 1 A 2 µA A 600 V 1 a Fase Única 600 v
MBS8 Taiwan Semiconductor Corporation MBS8 0,5200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-BSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MBS8 Padrão Mbs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 1 V @ 2 A 5 µA A 800 V 800 mA Fase Única 800 v
D2SB60 Taiwan Semiconductor Corporation D2SB60 0,9000
RFQ
 ECAD 785 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB60 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 15 A 10 µA A 600 V 2 a Fase Única 600 v
DBL106GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL106GH 0,2394
RFQ
 ECAD 8161 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl106 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA A 800 V 1 a Fase Única 800 v
BZD27C75PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHRQG -
RFQ
 ECAD 1236 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 56 V 74,5 v 100 ohms
MBRF15100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15100CT-Y 0,4530
RFQ
 ECAD 7105 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF15100 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF15100CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 950 mV @ 15 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20150PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150PTH -
RFQ
 ECAD 8717 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-247-3 MBR20150 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 1,02 V @ 20 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX55B27 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B27 0.0301
RFQ
 ECAD 7490 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55B27TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 20 V 27 v 80 ohms
HS3B Taiwan Semiconductor Corporation HS3B -
RFQ
 ECAD 7443 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HS3BTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR RLG 1.0500
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 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 6a (ta), 29a (tc) 25mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 23NC @ 10V 1314pf @ 30V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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