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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
ES3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3g r6g -
RFQ
 ECAD 8891 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES3GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
BZT55B15 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B15 L1G -
RFQ
 ECAD 3872 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 11 V 15 v 30 ohms
MTZJ27SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj27sc 0.0305
RFQ
 ECAD 6884 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj27 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ27SCTR Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 21 V 26.29 v 45 ohms
YBS2205G Taiwan Semiconductor Corporation YBS2205G 0,4230
RFQ
 ECAD 7614 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos YBS2205 Padrão Ybs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 970 mV @ 2.2 A 5 µA A 600 V 2.2 a Fase Única 600 v
KBP307G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP307G C2G -
RFQ
 ECAD 2183 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 3 A 10 µA A 1000 V 3 a Fase Única 1 kv
MBR7100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR7100 C0G -
RFQ
 ECAD 1766 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 MBR7100 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 7.5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7.5a -
1SMA4745H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4745H 0,0995
RFQ
 ECAD 8043 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA4745 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1 µA A 12,2 V 16 v 16 ohms
KBP155G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP155G C2 -
RFQ
 ECAD 8070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 1,5 A 10 µA A 600 V 1.5 a Fase Única 600 v
MTZJ2V4SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj2v4sb 0.0305
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ2V4SBTR Ear99 8541.10.0050 10.000 120 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
1N4936GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936GHB0G -
RFQ
 ECAD 4248 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4936 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCX RFG -
RFQ
 ECAD 7633 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 300mA (TA) 4.5V, 10V 2OHM @ 300MA, 10V 2,5V a 250µA 0,4 nc @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 300mW (TA)
LL5818 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL5818 L0G -
RFQ
 ECAD 6697 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell LL5818 Schottky Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 875 mv @ 3 a 500 µA A 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
SK510C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK510C M6 -
RFQ
 ECAD 7007 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SK510CM6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 5 a 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
S8KC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S8KC R6G -
RFQ
 ECAD 7597 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S8KCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 985 mV @ 8 a 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 48pf @ 4V, 1MHz
BZX85C8V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C8V2 A0G -
RFQ
 ECAD 3516 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 10 Ma 1 µA a 6,2 V 8.2 v 5 ohms
HER157GH Taiwan Semiconductor Corporation HER157GH 0.1203
RFQ
 ECAD 7405 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HER157GHTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1,5 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 20pf @ 4V, 1MHz
MBR25150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR25150CTHC0G -
RFQ
 ECAD 4571 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR25150 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 25a 1,02 V @ 25 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZT52B3V0 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V0 0,0412
RFQ
 ECAD 7726 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B3V0TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 9 µA @ 1 V 3 v 100 ohms
1N5231B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5231B 0,0271
RFQ
 ECAD 2113 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5231 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5231BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17 ohms
KBP104G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP104G C2G -
RFQ
 ECAD 6646 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1 A 10 µA A 400 V 1 a Fase Única 400 v
SF27G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF27G A0G -
RFQ
 ECAD 7199 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF27 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SF1008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GHC0G -
RFQ
 ECAD 7933 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF1008 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 50pf @ 4V, 1MHz
KBP207G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP207G C2G -
RFQ
 ECAD 9220 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,2 V @ 2 A 10 µA A 1000 V 2 a Fase Única 1 kv
TS15P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P07G-K C2G -
RFQ
 ECAD 4347 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TS15P07G-KC2G Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA A 1000 V 15 a Fase Única 1 kv
MBRS25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CT 0,8958
RFQ
 ECAD 6088 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS25100 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS25100CTTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 25a 920 mV @ 25 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GH 0,6140
RFQ
 ECAD 2661 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF1008 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SF1008GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 10a 1,7 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MTZJ13SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj13sc 0.0305
RFQ
 ECAD 2877 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj13 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ13SCTR Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 10 V 13.33 v 35 ohms
BZT52C18-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C18-G RHG 0,0445
RFQ
 ECAD 3940 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
BZV55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B75 0,0357
RFQ
 ECAD 4571 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55B 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZV55B75TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 56 V 75 v 170 ohms
BZT52B51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51 0,0453
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 ECAD 6249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B51TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
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