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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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BZD27C51PWH | 0.1191 | ![]() | 7452 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 39 V | 51 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2001GHC0G | - | ![]() | 6648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF2001 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 20 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 170pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
Esh2da R3G | - | ![]() | 6806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Esh2 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Uf1kha0g | - | ![]() | 1629 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS34 R7G | - | ![]() | 4025 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS34 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20L120CT | - | ![]() | 9537 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF20 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 20a | 900 mV @ 20 A | 20 µA A 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3035CTHC0G | - | ![]() | 2604 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR3035 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 200 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A07GHA0G | - | ![]() | 6976 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A07 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5820 | 0,1788 | ![]() | 5238 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5820 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 475 mV @ 3 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF560H | - | ![]() | 8706 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRAF560H | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1504 | 0,9549 | ![]() | 9900 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | SR1504 | Schottky | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B15 RXG | - | ![]() | 9021 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS310 R6 | - | ![]() | 5958 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS310R6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF30L150C | 2.3100 | ![]() | 681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 920 mV @ 15 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Uf1khr1g | - | ![]() | 8967 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P05G | 2.6300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS25P05 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA A 600 V | 25 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818HA0G | - | ![]() | 6100 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5818 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 55pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
S2KA R3G | 0,4900 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S2K | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR40100CT C0G | - | ![]() | 2590 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Última Vez compra | MBR40100 | - | 1801-MBR40100CTC0G | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC550B B1G | - | ![]() | 6676 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 200 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004G R1G | - | ![]() | 7093 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HT17GH | 0.1026 | ![]() | 7234 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HT17GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3JH | 0,1561 | ![]() | 4165 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP1007H | 0,5037 | ![]() | 2867 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | GP1007 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-GP1007H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 10a | 1,1 V @ 5 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
BZD27C33P MQG | - | ![]() | 4307 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 24 V | 33 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM9933DCS RLG | - | ![]() | 5092 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM9933 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.7a (TC) | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 8.5nc @ 4.5V | 640pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4448 L1G | 0,2000 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | LL4448 | Padrão | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 54 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C5V6 RFG | 0,0786 | ![]() | 6453 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 1 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1202 R0G | - | ![]() | 7292 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-201D, axial | SR1202 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 12 A | 500 µA A 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2001G C0G | - | ![]() | 4837 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF2001 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 20 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 170pf @ 4V, 1MHz |
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