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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | BZX585B27 RKG | - | ![]() | 9827 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5956 R3G | - | ![]() | 2102 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5956 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 Na @ 152 V | 200 v | 1200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C18P RHG | - | ![]() | 6322 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR190A R1G | - | ![]() | 4417 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR190 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 900 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8JC R7 | - | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S8JCR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B15 | 0.0301 | ![]() | 6658 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX55B15TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5M M6 | - | ![]() | 1616 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S5mm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1007GHC0G | - | ![]() | 5520 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1007 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 500 v | 10a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
BZT52B12-G RHG | 0,0461 | ![]() | 8927 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B68S RRG | - | ![]() | 6645 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 47,6 V | 68 v | 240 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
S1KL MTG | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1K | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
1SMA110Z | 0,1229 | ![]() | 1021 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA110 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA A 83,6 V | 110 v | 450 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2VH | 0,3800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 1 µA A 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N900CI | 2.3232 | ![]() | 4666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N900CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 700 v | 4.5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 9,7 nc @ 10 V | ± 30V | 482 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
SS13LHMTG | - | ![]() | 2614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF32GH | - | ![]() | 2916 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SF32GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
SS16 R3G | 0,4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS16 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 1 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C100P RTG | - | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736G | 0,0627 | ![]() | 6477 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4736GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER605G B0G | - | ![]() | 6615 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | HER605 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
1SMA5947H | 0,0995 | ![]() | 2794 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5947 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 Na @ 62,2 V | 82 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
SS15LHM2G | - | ![]() | 1928 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER158GH | 0.1203 | ![]() | 7856 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HER158GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1,5 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FRAF10JG | 1.1000 | ![]() | 995 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-FRAF10JG | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 10 A | 200 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 59pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B20 A0G | - | ![]() | 9954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1045CTH | 0,5920 | ![]() | 6704 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550C A1 | - | ![]() | 9975 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC550CA1TB | Obsoleto | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5260B RHG | 0,0433 | ![]() | 7599 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5260 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m30ZHB0G | - | ![]() | 2917 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m30 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 22,8 V | 30 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C9V1PHRFG | - | ![]() | 1244 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 5 V | 9.05 v | 4 ohms |
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