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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GPAS1007 Mng | - | ![]() | 6203 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | GPAS1007 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 10 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5224B A0G | - | ![]() | 9357 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5224 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2,8 v | 30 ohms | ||||||||||||||
![]() | BAT42W | 0,0548 | ![]() | 1767 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAT42 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAT42WTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 Na @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55B2V4 | 0,0504 | ![]() | 6430 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZV55B2V4TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||||
![]() | SS36 R7 | - | ![]() | 5069 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS36R7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||
BZD27C36PWH | 0,1787 | ![]() | 7046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 27 V | 36 v | 40 ohms | |||||||||||||||
BZD17C24P M2G | - | ![]() | 1391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24 v | 15 ohms | |||||||||||||||
![]() | HERF1604G | 0,7206 | ![]() | 9363 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Herf1604 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 16a | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | SRA1630HC0G | - | ![]() | 1709 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | SRA1630 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 16 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 16a | - | |||||||||||||
![]() | 1SMC5352 M6 | - | ![]() | 3206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1SMC5352M6TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA A 11,5 V | 15 v | 2,5 ohms | |||||||||||||||
SS23L RHG | - | ![]() | 7672 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS23 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||
BZD27C30PHMHG | - | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 22 V | 30 v | 15 ohms | |||||||||||||||
![]() | TST10H200CW | 1.2930 | ![]() | 6604 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | To-220-3 | TST10 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 910 mV @ 5 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||
![]() | MBRF1560CTH | - | ![]() | 2636 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF1560 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 750 mV @ 7.5 A | 300 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
BZD17C100P RVG | 0,3540 | ![]() | 8116 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | |||||||||||||||
![]() | BZS55C2V7 | 0,0340 | ![]() | 4812 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZS55C2V7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 10 µA A 1 V | 2,7 v | 85 ohms | ||||||||||||||
![]() | Rs3j v7g | 0,9500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3j | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||
SS110 | 0,0686 | ![]() | 3289 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS110 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | AZ23C3V9 RFG | 0,0786 | ![]() | 5014 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 3,9 v | 95 ohms | |||||||||||||||
![]() | HER208G A0G | 0,6300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER208 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
HS1BL RFG | - | ![]() | 1258 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Hs1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
BZT52C33-G RHG | 0,0445 | ![]() | 7427 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | |||||||||||||||
![]() | TSP10U45S | 0,5346 | ![]() | 5771 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TSP10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSP10U45STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 460 mV @ 10 A | 300 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||
![]() | Uf1a a0g | - | ![]() | 6873 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1a | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SR4020PT C0G | - | ![]() | 6899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SR4020 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 40A | 550 mV @ 20 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||
![]() | 6A20G B0G | - | ![]() | 5485 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | R-6, axial | 6A20 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 6 A | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
Rs1glhm2g | - | ![]() | 2517 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1g | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | KBPF306G B0G | - | ![]() | 2956 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbpf | Padrão | KBPF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | KBPF306GB0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 720 | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 800 V | 3 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||
![]() | SFF1004GA | - | ![]() | 5320 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1004 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 10a (DC) | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZV55B2V4 L1G | - | ![]() | 2245 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms |
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