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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | MMSZ5239B RHG | 0,0433 | ![]() | 1927 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5239 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA a 7 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A | 0,1118 | ![]() | 2151 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4744 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148 L1G | 0,2000 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | LL4148 | Padrão | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 50 Ma | 54 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C75P | 0,2753 | ![]() | 5443 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZD27C75PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21WS | 0,0569 | ![]() | 1627 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BAV21 | Padrão | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAV21WSTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 250 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | S8JC R7 | - | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S8JCR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
S1KL MTG | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1K | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
BZD17C100P MHG | - | ![]() | 5744 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
SS15LHM2G | - | ![]() | 1928 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | S2VH | 0,3800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 1 µA A 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FRAF10JG | 1.1000 | ![]() | 995 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-FRAF10JG | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 10 A | 200 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 59pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
BZD17C18P RHG | - | ![]() | 6322 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1M180Z | 0,1118 | ![]() | 6547 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M180 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 136,8 V | 180 v | 1200 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N7002KCX | 0.1121 | ![]() | 5815 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM2N7002KCXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 300mA (TA) | 4.5V, 10V | 2OHM @ 300MA, 10V | 2,5V a 250µA | 0,6 nc @ 4,5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 300mW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | GPA807 C0G | - | ![]() | 1483 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | GPA807 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 8 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
1SMA110Z | 0,1229 | ![]() | 1021 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA110 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA A 83,6 V | 110 v | 450 ohms | ||||||||||||||||||||||||
BZD17C43P RFG | - | ![]() | 4648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS34 R6 | - | ![]() | 6225 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS34R6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B3V3 RXG | - | ![]() | 1395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3DV R6G | - | ![]() | 8345 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3DVR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1090HC0G | - | ![]() | 9382 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SRAF1090 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV @ 10 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C5V1 L1G | - | ![]() | 4022 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N900CI | 2.3232 | ![]() | 4666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N900CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 700 v | 4.5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 9,7 nc @ 10 V | ± 30V | 482 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BZT55C56 L0G | 0,0350 | ![]() | 4071 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 42 V | 56 v | 135 ohms | ||||||||||||||||||||||
BZD17C100P RTG | - | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5260B RHG | 0,0433 | ![]() | 7599 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5260 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93 ohms | |||||||||||||||||||||||
SS115LHRUG | - | ![]() | 4281 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS115 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55C15 RYG | 0,0350 | ![]() | 5080 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||
BZD27C82P M2G | - | ![]() | 7563 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 62 V | 82 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1045CTH | 0,5920 | ![]() | 6704 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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