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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
SRAF560H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF560H -
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 ECAD 8706 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF560H Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SR1504 Taiwan Semiconductor Corporation SR1504 0,9549
RFQ
 ECAD 9900 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial SR1504 Schottky R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 15 A 500 µA A 40 V -50 ° C ~ 150 ° C. 15a -
BZS55B15 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B15 RXG -
RFQ
 ECAD 9021 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 11 V 15 v 30 ohms
SS310 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SS310 R6 -
RFQ
 ECAD 5958 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SS310R6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
TSF30L150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L150C 2.3100
RFQ
 ECAD 681 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 920 mV @ 15 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UF1KHR1G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1khr1g -
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 ECAD 8967 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1k Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
BC817-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40W RFG 0,0360
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 ECAD 7191 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
TS25P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G 2.6300
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 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS25P05 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA A 600 V 25 a Fase Única 600 v
1N5818HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5818HA0G -
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 ECAD 6100 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 55pf @ 4V, 1MHz
S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2KA R3G 0,4900
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 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA S2K Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1,5 A 1,5 µs 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
TSM260P02CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6 0,5097
RFQ
 ECAD 6460 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 TSM260 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-26 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM260P02CX6TR Ear99 8541.29.0095 12.000 Canal P. 20 v 6.5a (TC) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5V 1V a 250µA 19,5 NC @ 4,5 V ± 10V 1670 pf @ 15 V - 1.56W (TC)
BZD17C39P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P MTG -
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 ECAD 2970 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 30 V 39 v 40 ohms
AZ23C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C5V6 0,0786
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 ECAD 3123 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-AZ23C5V6TR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 par ânodo comum 100 Na @ 1 V 5,6 v 40 ohms
ES1BL Taiwan Semiconductor Corporation Es1bl 0,3800
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 ECAD 51 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1B Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5259B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5259B 0,0437
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5259 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMSZ5259BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 30 V 39 v 80 ohms
RS1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmqg -
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 ECAD 2955 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1d Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 800 mA 150 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
UF1DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1dha0g -
RFQ
 ECAD 5461 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1d Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
BZD27C20P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P R3G -
RFQ
 ECAD 1602 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 15 V 20 v 15 ohms
S1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHR3G 0,1788
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 ECAD 4803 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1K Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
ES1HL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL MTG -
RFQ
 ECAD 4085 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1H Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 8pf @ 1V, 1MHz
MBR40100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR40100CT C0G -
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 ECAD 2590 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Última Vez compra MBR40100 - 1801-MBR40100CTC0G 1
UGF1008G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008G 1.0200
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 ECAD 201 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF1008 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 10 A 25 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
BZD27C220PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRHG -
RFQ
 ECAD 1718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 160 V 220,5 v 900 ohms
TSF20H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H150C 2.3100
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF20 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 750 mv @ 10 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF15150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15150CTHC0G -
RFQ
 ECAD 8055 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF15150 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 950 mV @ 7.5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5951H 0,1798
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 ECAD 3720 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 91,2 V 120 v 360 ohms
BZD17C12PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12PH 0,2790
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 ECAD 6512 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZD17 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZD17C12PHTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 200 mA 3 µA A 9,1 V 12 v 7 ohms
MTZJ7V5SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj7v5sc r0g 0.0305
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 ECAD 9522 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj7 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 500 Na @ 4 V 7.48 v 20 ohms
ES3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3D M6 -
RFQ
 ECAD 6051 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES3DM6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3 a 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
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 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 7a (ta), 30a (tc) 25mohm @ 7a, 10V 4V A 250µA 22NC @ 10V 1461pf @ 30V -
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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