SIC
close

Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BZD27C30P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P RQG -
RFQ
 ECAD 7941 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 22 V 30 v 15 ohms
BZX585B2V4 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4 RKG -
RFQ
 ECAD 3460 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 45 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
BZT52C5V1S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1S RRG 0,3400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 1,8 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
1PGSMA4743H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4743H 0.1167
RFQ
 ECAD 4015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA4743 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 9,9 V 13 v 10 ohms
1N4006G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006G 0,0508
RFQ
 ECAD 8144 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4006 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
TSF40L200C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L200C 2.6600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF40 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 980 mV @ 20 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD17C27P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RFG -
RFQ
 ECAD 9307 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20 V 27 v 15 ohms
1N4006GR0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GR0 -
RFQ
 ECAD 8565 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4006 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SR4020PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PT C0G -
RFQ
 ECAD 6899 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR4020 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 40A 550 mV @ 20 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 125 ° C.
MBRF20150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20150CT 1.3600
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF20150 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 1,05 V @ 20 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD17C62P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P MQG -
RFQ
 ECAD 8215 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 47 V 62 v 80 ohms
HER206G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER206G B0G -
RFQ
 ECAD 7985 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER206 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SR803HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803HA0G -
RFQ
 ECAD 9571 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR803 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
SS22LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHMHG -
RFQ
 ECAD 3081 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS22 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
1N4935GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GH -
RFQ
 ECAD 7622 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1N4935GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER208G A0G 0,6300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER208 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 2 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SRF2090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2090HC0G -
RFQ
 ECAD 2479 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF2090 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 20a 920 mV @ 10 A 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UF1J Taiwan Semiconductor Corporation Uf1j 0,0981
RFQ
 ECAD 4173 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1j Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 5430 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB Obsoleto 1 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80MHz
FR203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G A0G -
RFQ
 ECAD 2851 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Fr203 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 2 A 150 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 4V, 1MHz
HS3FB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3FB R5G 0,8400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB HS3F Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
HS3F R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3F R6G -
RFQ
 ECAD 9557 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HS3FR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
SF43GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43GHA0G -
RFQ
 ECAD 9294 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF43 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 100pf @ 4V, 1MHz
MUR460S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S M6G -
RFQ
 ECAD 3787 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Mur460 Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 4 a 50 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZD27C27P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P RHG -
RFQ
 ECAD 8032 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20 V 27 v 15 ohms
1PGSMA130Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA130Z 0.1086
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA130 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 98,8 V 130 v 700 ohms
SF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006G 1.2200
RFQ
 ECAD 373 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF1006 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 10 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 50pf @ 4V, 1MHz
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm088na03cr rlg -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM088 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 61a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 13a, 10V 2,5V a 250µA 12,6 nc @ 10 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 56W (TC)
S4J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S4J M6G -
RFQ
 ECAD 6059 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S4J Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 4 A 1,5 µs 100 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
1N4751G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751G A0G -
RFQ
 ECAD 2761 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4751 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 22,8 V 30 v 40 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar