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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BAT43 A0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT43 A0 -
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 ECAD 4000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Schottky DO-35 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BAT43A0 Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 200 mA 5 ns 500 Na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
6A20G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20G R0G -
RFQ
 ECAD 6477 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco R-6, axial 6A20 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 6 A 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
RS1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al rqg -
RFQ
 ECAD 8894 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1a Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 800 mA 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
SF802GH Taiwan Semiconductor Corporation SF802GH -
RFQ
 ECAD 9977 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF802 Padrão TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF802GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 8a (DC) 975 mV @ 4 a 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1PGSMA110Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA110Z 0.1086
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 ECAD 1822 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA110 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 83,6 V 110 v 450 ohms
BZT55C7V5 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C7V5 L1G -
RFQ
 ECAD 7836 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 5 V 7,5 v 7 ohms
HERAF1002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1002G C0G -
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 ECAD 4734 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 HERAF1002 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 10 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 80pf @ 4V, 1MHz
MBRF3060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3060CT 0,9495
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 ECAD 1673 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF3060 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 30a 900 mV @ 30 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S1JR3 Taiwan Semiconductor Corporation S1JR3 -
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 ECAD 5135 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA S1J Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
SRAF1640H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1640H -
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 ECAD 9427 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF1640H Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 16 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 16a -
SR320 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR320 A0G 0,3500
RFQ
 ECAD 9703 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR320 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3 a 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
ES2CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2CA R3G -
RFQ
 ECAD 4915 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA ES2C Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
BZD27C220PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHM2G -
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 ECAD 5389 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 160 V 220,5 v 900 ohms
SS15LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRFG -
RFQ
 ECAD 3070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS15 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BZT55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B12 L0G 0,0385
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 ECAD 6969 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 9,1 V 12 v 20 ohms
BZD27C27P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P RHG -
RFQ
 ECAD 8032 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20 V 27 v 15 ohms
TSF10L100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSF10L100CW 1.0358
RFQ
 ECAD 5350 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Não é para desenhos para Novos Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF10 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 5a 800 mV @ 5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SF18GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18GHB0G -
RFQ
 ECAD 4002 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF18 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
1PGSMA130Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA130Z 0.1086
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA130 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 98,8 V 130 v 700 ohms
SF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006G 1.2200
RFQ
 ECAD 373 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF1006 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 10 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 50pf @ 4V, 1MHz
BZX79B75 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B75 A0G -
RFQ
 ECAD 9943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 52,5 mA a 50 mV 75 v 255 ohms
SFAF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1004GHC0G -
RFQ
 ECAD 2267 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF1004 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 170pf @ 4V, 1MHz
BZT55C75 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C75 L0G 0,0350
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 56 V 75 v 170 ohms
HS1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1fl rqg -
RFQ
 ECAD 4968 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1F Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
TST30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30H120CW 1.3992
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 ECAD 7868 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 TST30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 880 mV @ 15 A 250 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
BZD27C47P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P M2G -
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 ECAD 6222 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 36 V 47 v 45 ohms
1PGSMA4752HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4752HR3G -
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 ECAD 5731 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA4752 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 25,1 V 33 v 45 ohms
1N4758A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4758a a0g -
RFQ
 ECAD 2960 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4758 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 42,6 V 56 v 110 ohms
BZX79B27 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B27 ​​A0G -
RFQ
 ECAD 1587 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 18,9 mA a 50 mV 27 v 80 ohms
S1DLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1dlHrvg 0,0628
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 ECAD 5744 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1D Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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