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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | TSM3N90CP ROG | - | ![]() | 3832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM3N90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 900 v | 2.5a (TC) | 10V | 5.1ohm @ 1.25a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 748 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||
Rs1kl m2g | - | ![]() | 5655 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1k | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
1PGSMA4747H | 0.1156 | ![]() | 4426 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4747 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 15,2 V | 20 v | 22 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1004G | 0,5559 | ![]() | 2456 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | HER1004 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM019NH04LCR RLG | 6.3000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfect ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 35A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 50a, 10V | 2.2V A 250µA | 104 NC @ 10 V | ± 16V | 6282 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||
BZD27C130P RHG | - | ![]() | 9237 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 100 V | 132,5 v | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3GB R5G | 0,4488 | ![]() | 5090 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | HS3G | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | S15MC M6G | - | ![]() | 8983 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S15M | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
SSL12H | 0,1398 | ![]() | 7178 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SSL12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 390 mV @ 1 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||
SS14L RQG | - | ![]() | 2377 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS14 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP102G C2 | - | ![]() | 9933 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR4L40HA0G | - | ![]() | 3835 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | MUR4L40 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
S2ga | 0,0633 | ![]() | 3271 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S2G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | GP1605HC0G | - | ![]() | 9536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | GP1605 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 16a | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003G R1G | - | ![]() | 5184 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBU402HD2G | - | ![]() | 8504 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU402 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA A 100 V | 4 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T7G A0G | - | ![]() | 3372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T7 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRI30100CT | 0,9495 | ![]() | 7840 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBRI30100 | Schottky | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 940 mV @ 30 A | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | 6A80GHB0G | - | ![]() | 5357 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | 6A80 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 6 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2004GHC0G | - | ![]() | 7110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF2004 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 170pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Es3dbh | 0.1926 | ![]() | 8199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3DBHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 46pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | S12JC R6G | - | ![]() | 9948 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S12JCR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 12 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FR301G B0G | - | ![]() | 4716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | FR301 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | S1MB | 0,0991 | ![]() | 7456 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1MB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
BZD27C8V2P TAP | - | ![]() | 9122 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 8.2 v | 2 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tszl52c3v6 rwg | - | ![]() | 3155 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 15 µA A 1 V | 3,6 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||
Rsfalhmqg | - | ![]() | 8129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfal | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1060CT Mng | - | ![]() | 9303 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
SS34LHR3G | - | ![]() | 4780 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS34 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR4035PT C0G | - | ![]() | 6700 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR4035 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 40A | 800 mV @ 40 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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