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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | SFF1601GHC0G | - | ![]() | 8129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1601 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs3d m6 | - | ![]() | 1895 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-RS3DM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1035CTHC0G | - | ![]() | 9385 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1035 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5KBH | 0,1415 | ![]() | 7117 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S5K | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 5 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3dbhm4g | - | ![]() | 8803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | ES3D | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 46pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C18 RFG | 0,3400 | ![]() | 9660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HERAF1002G C0G | - | ![]() | 4734 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF1002 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF802GH | - | ![]() | 9977 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF802 | Padrão | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SF802GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a (DC) | 975 mV @ 4 a | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1640H | - | ![]() | 9427 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRAF1640H | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 16 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 16a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Tapete HS1DL | - | ![]() | 9564 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Hs1d | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA1040 | - | ![]() | 4621 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRA1040 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 10 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAS20150 | 1.0743 | ![]() | 6169 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRAS20150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,02 V @ 20 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C16P | 0,2625 | ![]() | 5475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,56% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZD17C16PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 12 V | 16 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM6502CR RLG | 2.3700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM6502 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 40W | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 60V | 24a (TC), 18a (TC) | 34mohm @ 5.4a, 10v, 68mohm @ 4a, 10v | 2,5V a 250µA | 10.3nc @ 4.5V, 9.5nc @ 4.5V | 1159pf @ 30V, 930pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA158G A0G | - | ![]() | 3923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BA158 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C47S RRG | - | ![]() | 3372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 33 V | 47 v | 170 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4751HR3G | - | ![]() | 6596 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4751 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs2jal | 0,4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Rs2j | Padrão | SMA FINA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 2 A | 250 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906 RFG | 0,2100 | ![]() | 110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350 MW | SOT-23 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 400mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 10Ma, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF3008PT | 2.8600 | ![]() | 4022 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF3008 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60N06CP ROG | - | ![]() | 4719 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 66a (TC) | 10V | 7.3mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 4382 pf @ 30 V | - | 44.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m43z a0g | - | ![]() | 2662 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m43 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 Na @ 32,7 V | 43 v | 35 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3gbhr5g | - | ![]() | 3641 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Es3g | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,13 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 41pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS320 R6G | - | ![]() | 7775 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS320R6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5927H | 0,1560 | ![]() | 4707 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5927 | 3 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA A 9,1 V | 12 v | 6,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2BAH | 0,0725 | ![]() | 6399 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2BAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SS36LHMQG | - | ![]() | 3635 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS36 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C75 | 0.0305 | ![]() | 7558 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX55C75TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 56 V | 75 v | 170 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRF1050HC0G | - | ![]() | 2598 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SRF1050 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C16 | 0,0669 | ![]() | 7439 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0603 (1608 Mética) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSZU52C16TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms |
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