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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | SFF1603G C0G | - | ![]() | 1855 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1603 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
PU3JFS | 0,1383 | ![]() | 9753 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | PU3J | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-Pu3Jfstr | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 26 ns | 2 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 31pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
SS26LW | 0,4000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | SS26 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
Tsm110nb04lcr rlg | 1.6800 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 12a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1269 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B RHG | 0,0433 | ![]() | 1978 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5243 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 Na @ 9,9 V | 13 v | 13 ohms | |||||||||||||||||||||||
BZD27C6V8PHMTG | - | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6,8 v | 3 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CF | 1.9333 | ![]() | 6500 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB600CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 30V | 528 pf @ 100 V | - | 41.7W (TC) | ||||||||||||||||
BZT52C5V1-G RHG | 0,0445 | ![]() | 3059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||
BZD17C27P RTG | - | ![]() | 9758 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 20 V | 27 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5256B RHG | 0,2800 | ![]() | 9322 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 23 V | 30 v | 49 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSI30H100CW | - | ![]() | 6189 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | TSI30 | Schottky | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 780 mV @ 15 a | 250 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | SF65G B0G | - | ![]() | 2542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF65 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SF21G | - | ![]() | 9847 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SF21GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
RS1MH | 0,0712 | ![]() | 3467 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1m | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR30100CT | 0,8994 | ![]() | 5414 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR30100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 940 mV @ 30 A | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C11 L1G | - | ![]() | 3053 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 8,2 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20100CTH | 1.5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS20100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | 2M20Z B0G | - | ![]() | 1422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m20 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 15,2 V | 20 v | 11 ohms | |||||||||||||||||||||||
S1JLWH | 0,3900 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | S1J | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj2v4sa r0g | 0.0305 | ![]() | 6800 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µA @ 1 V | 2,43 v | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | HERAF801G C0G | - | ![]() | 6694 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF801 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2M75ZHA0G | - | ![]() | 2731 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m75 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 Na @ 56 V | 75 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF3002PT C0G | - | ![]() | 3697 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF3002 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TUAU6KH | 0,2961 | ![]() | 3753 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TUAU6 | Padrão | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TUAU6KHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 6 A | 50 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 64pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2A04GHB0G | - | ![]() | 3964 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A04 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | S8JC R6 | - | ![]() | 3384 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S8JCR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | HERF1608GH | 0,7608 | ![]() | 6593 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HERF1608GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 16a | 1,7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | SRS1050 Mng | - | ![]() | 5401 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS1050 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
TSSE3U45 RVG | 0,7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | TSSE3 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 470 mV @ 3 a | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF36GHA0G | - | ![]() | 2006 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF36 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz |
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