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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ABS10 | 0,4800 |  | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | ABS10 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 950 mV @ 400 mA | 10 µA A 1000 V | 1 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| ABS15M REG | 0,2700 | | 6601 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | ABS15 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| ABS6 Reg | 0,9200 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | ABS6 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 950 mV @ 400 mA | 10 µA A 600 V | 1 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
 | BZD27C24P RVG | 0,2753 | | 12 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24,2 v | 15 ohms | ||||||||||
| BZD27C36P R3G | 0,1600 | | 6390 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 27 V | 36 v | 40 ohms | ||||||||||
| BZD27C43P | 0,4400 | | 251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | ||||||||||
| BZD27C75P RVG | 0,6900 | | 793 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 ohms | ||||||||||
 | BZT52B10 RHG | 0,2700 | | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 180 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | ||||||||||
| BZT52B2V4 RHG | 0,2700 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | ||||||||||
| BZT52C10 RHG | 0,2600 | | 34 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 180 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | ||||||||||
 | BZT52C15S RRG | 0,3400 | | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||
| BZT52C3V6 RHG | 0,0412 | | 7321 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 4,5 µA a 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||
| DBLS107G | 0,6600 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS107 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 1000 V | 1 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| DBLS157G | 0,7800 | | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS157 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| DBLS205G | 0,7700 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS205 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
 | SK215A | 0,4100 | | 19 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | SK215 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||
| SS110L | 0,5200 | | 35 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-219AB | SS110 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||
 | S1mls rvg | 0,4100 | | 60 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123H | S1ml | Padrão | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1,2 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | |||||||||
 | S1MLW | 0,3500 | | 12 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123W | S1ml | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||
| Rs1mlw | 0,4200 | | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123W | Rs1m | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||
| RS2DA R3G | - | | 7225 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | Rs2d | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| Rs2dahr3g | - | | 8781 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | Rs2d | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | 1M110ZHR1G | - | | 6118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M110 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 83,6 V | 110 v | 450 ohms | |||||||||||
| 1M150Z R1G | - | | 4756 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M150 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 114 V | 150 v | 1000 ohms | |||||||||||
| 1M200Z R1G | - | | 3720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M200 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 152 V | 200 v | 1500 ohms | |||||||||||
| 1N4741AHR1G | - | | 6979 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4741 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 15,2 V | 11 v | 22 ohms | |||||||||||
| 1N4763A R1G | - | | 1347 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4763 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 69,2 V | 91 v | 250 ohms | |||||||||||
 | UG56GHB0G | - | | 3087 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG56 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,55 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||||||
 | GBPC15005M T0G | - | | 5890 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 quadrados, GBPC-M | GBPC15005 | Padrão | GBPC-M | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||
 | GBPC1502W T0G | - | | 6052 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC1502 | Padrão | GBPC-W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA A 200 V | 15 a | Fase Única | 200 v |
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