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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
1SMB5956 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956 R5G -
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 ECAD 2250 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 850 1 µA A 152 V 200 v 1200 ohms
SR010 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010 B0G -
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 ECAD 2628 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV a 500 mA 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 65pf @ 4V, 1MHz
ES1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1aLHRTG -
RFQ
 ECAD 3341 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1A Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C200P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P MHG -
RFQ
 ECAD 9768 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 150 V 200 v 750 ohms
1SMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5951H 0,1545
RFQ
 ECAD 1571 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 91,2 V 120 v 360 ohms
TSM9ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM9nd50CI 3.3700
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 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM9 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 3,8V a 250µA 24,5 nc @ 10 V ± 30V 1116 pf @ 50 V - 50W (TC)
SRAF1630 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1630 C0G -
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 ECAD 6650 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SRAF1630 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 16 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 16a -
S1GR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1gr2 -
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 ECAD 5573 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA S1G Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
SFAF2004G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2004G -
RFQ
 ECAD 8079 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFAF2004G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 20 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 170pf @ 4V, 1MHz
HER305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER305G A0G 1.1900
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 ECAD 732 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-201D, axial HER305 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
SS22L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RFG -
RFQ
 ECAD 3327 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS22 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
MBR30200PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30200PTHC0G -
RFQ
 ECAD 7663 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR30200 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 1,1 V @ 30 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC1508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1508W 3.1618
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 ECAD 3134 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC1508 Padrão GBPC-W download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC1508W Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 800 V 15 a Fase Única 800 v
S12KC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12KC M6G -
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 ECAD 3615 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S12K Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 78pf @ 4V, 1MHz
TUAU8DH Taiwan Semiconductor Corporation TUAU8DH 0.3108
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 ECAD 6960 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN TUAU8 Padrão SMPC4.6U download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TUAU8DHTR Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 8 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 80pf @ 4V, 1MHz
SRA1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1050HC0G -
RFQ
 ECAD 5298 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 SRA1050 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 10 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
1N5224B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5224B 0,0271
RFQ
 ECAD 2867 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5224 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5224BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2,8 v 30 ohms
BZY55B2V7 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V7 RYG -
RFQ
 ECAD 9266 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 10 µA A 1 V 2,7 v 85 ohms
TSD2150ACY RMG Taiwan Semiconductor Corporation TSD2150acy rmg -
RFQ
 ECAD 6148 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 600 MW SOT-89 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSD2150Ar Ear99 8541.21.0095 1.000 50 v 3 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 200Ma, 2a 200 @ 500MA, 2V 90MHz
TSM2311CX-01 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX-01 RFG -
RFQ
 ECAD 5218 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado TSM2311CX-01RFG Ear99 8541.21.0095 1 Canal P. 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 4a, 4.5V 1.4V A 250µA 9 nc @ 4,5 V ± 8V 640 pf @ 6 V - 900MW (TA)
1PGSMC5355 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5355 M6G -
RFQ
 ECAD 1528 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5355M6GTR Ear99 8541.10.0050 3.000 500 Na @ 13,7 V 18 v 3 ohms
SK82C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK82C V7G -
RFQ
 ECAD 1187 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SK82 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
1PGSMC5363 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 0,8400
RFQ
 ECAD 5484 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 500 Na @ 22,8 V 30 v 8 ohms
BZD27C6V8P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P RHG -
RFQ
 ECAD 3739 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 3 V 6,8 v 3 ohms
BZX584B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 0,0639
RFQ
 ECAD 4994 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX584B11TR Ear99 8541.10.0050 104.000 100 Na @ 8 V 11 v 20 ohms
SS215L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS215L M2G -
RFQ
 ECAD 5030 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS215 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
BZT52B6V8S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8S 0,0340
RFQ
 ECAD 2058 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B6V8STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 1,8 µA a 4 V 6,8 v 15 ohms
UF4007 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4007 B0G -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4007 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
BZT52B6V8S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8S RRG -
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 1,8 µA a 4 V 6,8 v 15 ohms
1N914BW Taiwan Semiconductor Corporation 1N914BW 0,0272
RFQ
 ECAD 6338 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F 1N914 Padrão SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N914BWTR Ear99 8541.10.0080 18.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
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