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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BZD27C39P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P MQG -
RFQ
 ECAD 1291 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 30 V 39 v 40 ohms
BZD17C12P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P MTG -
RFQ
 ECAD 2966 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 3 µA A 9,1 V 12 v 7 ohms
BZD27C30P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P MQG -
RFQ
 ECAD 7936 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 22 V 30 v 15 ohms
UGF2007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2007G C0G -
RFQ
 ECAD 7364 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF2007 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 500 v 20a 1,7 V @ 10 A 25 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C.
HS3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3D V7G -
RFQ
 ECAD 6076 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC HS3D Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 50 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
TSM22P10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM22P10CZ C0G -
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 ECAD 8487 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM22P10CZC0G Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 22a (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 25V 2250 pf @ 30 V - 125W (TC)
HER301G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G B0G -
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 ECAD 4142 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial HER301 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
1N5401GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401GHB0G -
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 ECAD 8789 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5401 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 3 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
SR2030PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2030PT C0G -
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 ECAD 5583 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR2030 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 20a 550 mV @ 10 A 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SD101CW RHG Taiwan Semiconductor Corporation SD101CW RHG 0,0573
RFQ
 ECAD 9295 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 900 mV @ 15 mA 1 ns 200 Na @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 15m 2.2pf @ 0V, 1MHz
S1DLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1dlhmhg -
RFQ
 ECAD 9519 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1D Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
S1KLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHRFG -
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 ECAD 3877 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1K Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
HER208G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER208G B0G -
RFQ
 ECAD 6438 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER208 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 2 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P RTG -
RFQ
 ECAD 9709 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 22 V 30 v 15 ohms
SS315LWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS315LWHRVG 0,1616
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 ECAD 3810 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W SS315 Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1N4754A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754A 0,1118
RFQ
 ECAD 9842 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4754 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 29,7 V 39 v 60 ohms
TSPB5H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB5H120S S1G 1.0900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN TSPB5 Schottky SMPC4.0 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 740 mV @ 5 A 150 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
1N4003GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003GHR1G -
RFQ
 ECAD 9730 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4003 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
S2KFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation S2KFS M3G 0,3600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 S2K Padrão SOD-128 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 2 A 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 12pf @ 4V, 1MHz
RS1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmqg -
RFQ
 ECAD 2955 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1d Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 800 mA 150 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
BZX55C3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V3 A0G -
RFQ
 ECAD 7118 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3,3 v 85 ohms
SR803 Taiwan Semiconductor Corporation SR803 -
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 ECAD 9012 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR803TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
MMBD4148CC RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148CC RFG 0,0330
RFQ
 ECAD 9309 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 200Ma 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SK310B Taiwan Semiconductor Corporation SK310B 0.1121
RFQ
 ECAD 4239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK310 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SRF20150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF20150HC0G -
RFQ
 ECAD 8337 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF20150 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 1,02 V @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UG5J Taiwan Semiconductor Corporation Ug5j -
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 ECAD 6981 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UG5J Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3 V @ 5 A 20 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SS22LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHMTG -
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 ECAD 1714 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS22 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
SFA1007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1007G C0G -
RFQ
 ECAD 2895 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SFA1007 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 10 A 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 50pf @ 4V, 1MHz
SF2L6G Taiwan Semiconductor Corporation Sf2l6g 0.1101
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 ECAD 2458 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF2L6 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2 A 35 ns 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SS34L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS34L R3G -
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 ECAD 4085 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS34 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
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