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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | TSM7P06CP | 0,4877 | ![]() | 9946 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM7P06CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 60 v | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 180mohm @ 3a, 10V | 2,5V a 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 425 pf @ 30 V | - | 15.6W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | SR20150 C0G | - | ![]() | 8801 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR20150 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 1 V @ 10 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
ES15GLWHRVG | - | ![]() | 2813 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | ES15 | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 35 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 21pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C7V5 RFG | 0,0786 | ![]() | 5412 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SK32BHM4G | - | ![]() | 6883 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK32 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 6A60G B0G | - | ![]() | 4935 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | R-6, axial | 6A60 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 6 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B2V4 PANO | - | ![]() | 2319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-BZS55B2V4RAGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFF2006GH | 0,7635 | ![]() | 2076 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF2006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | HS1MH | 0,0827 | ![]() | 1696 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS1MHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 6A80G | 0,2520 | ![]() | 3409 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | 6A80 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 6 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
Rs1jlhmqg | - | ![]() | 8103 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1j | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10200CT-Y | 0,9400 | ![]() | 997 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF10200 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF10200CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 880 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730G R0G | 0,0627 | ![]() | 5256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4730 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3,9 v | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C68 L0G | 0,0350 | ![]() | 6930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 51 V | 68 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||||||
BZD27C12PHRFG | - | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 9,1 V | 12.05 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||
S1J-KR3G | - | ![]() | 1601 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
BZD27C200PHM2G | - | ![]() | 3408 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 150 V | 200 v | 750 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C27 RFG | 0,0786 | ![]() | 8671 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF503G C0G | - | ![]() | 2939 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF503 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
Rs1glhm2g | - | ![]() | 2517 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1g | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
BZD27C75PW | 0,1092 | ![]() | 1758 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 75 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||
TSM120N10PQ56 RLG | - | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 58a (TC) | 10V | 12mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 3902 pf @ 30 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2M120ZHB0G | - | ![]() | 4584 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2M120 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 91,2 V | 120 v | 325 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5363 | 0,8400 | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 Na @ 22,8 V | 30 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737G | 0,0627 | ![]() | 1684 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4737 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4737GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 5 V | 7,5 v | 4 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 6A20GH | - | ![]() | 5620 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | Padrão | R-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-6A20GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 6 A | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 M6 | - | ![]() | 4211 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS36M6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSUP10M60SH S1G | 1.7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tsup10 | Schottky | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 A | 250 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 658pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C18 | 0,0786 | ![]() | 1193 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-AZ23C18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM019NH04LCR RLG | 6.3000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfect ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 35A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 50a, 10V | 2.2V A 250µA | 104 NC @ 10 V | ± 16V | 6282 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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