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Produtos Semicondutores discretos (2909)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, lf 0,4000
RFQ
 ECAD 205 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 MW TO-236 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 300 mA 100na (ICBO) Npn 100mv @ 3Ma, 30MA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
TRS10A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10A65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 4279 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 TRS10A65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V 175 ° C (max) 10a 36pf @ 650V, 1MHz
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-gr, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SA1586 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn4a51jte85lf 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 HN4A51 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4604 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF03 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRF03 Padrão S-flat (1,6x3.5) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 700 mA 100 ns 50 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 700mA -
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN2507 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1301 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL, L1Q 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH4R003 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 14,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 36W (TC)
TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5, S5VX 2.0400
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK10A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 450mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 500µA 25 nc @ 10 V ± 30V 720 pf @ 300 V - 30W (TC)
2SA1680,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6F (j -
RFQ
 ECAD 4464 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (F, M) -
RFQ
 ECAD 5677 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC4793 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µA (ICBO) Npn 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, f (j -
RFQ
 ECAD 8296 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1109 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
CLS02(TE16L,HIT,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, HIT, Q) -
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS02 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 10 A 1 mA a 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 420pf @ 10V, 1MHz
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk12a60d (sta4, q, m) 3.0200
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK12A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 12a (ta) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 38 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408, LQ (s 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TPC8408 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 450mw 8-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 2.500 N E P-Canal 40V 6.1a, 5.3a 32mohm @ 3.1a, 10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V Portão de Nível Lógico
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W, LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK10V60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 NC A 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 88.3W (TC)
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9019 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2102 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 60 @ 10MA, 5V 10 Kohms 10 Kohms
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2108 100 mw SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352, H3F 0,1800
RFQ
 ECAD 236 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76A 1SS352 Padrão SC-76-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo) 100mA 3pf @ 0V, 1MHz
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3791 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1006 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN1109 100 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 500na Npn - pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 47 Kohms 22 Kohms
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (j -
RFQ
 ECAD 5431 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1837 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (j -
RFQ
 ECAD 3084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1909 100mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1417, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 5343 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão M-flat (2.4x3.8) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 1 A 100 ns 50 µA A 600 V 150 ° C. 1a -
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-y, T2F (j -
RFQ
 ECAD 2388 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC3665 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 TK35E10 - To-220 - Rohs Compatível 1 (ilimito) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
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