SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET ATUAL - MÁX Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência @ se, f Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
RFQ
ECAD 395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C. 8a 520pf @ 1V, 1MHz
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307 (TPH3, F) 0,4300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV307 USC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 50 MA 0,5pf @ 1V, 1MHz Pino - único 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z, LQ 3.6700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK170V65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 18a (TA) 10V 170mohm @ 9a, 10V 4V A 730µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1635 pf @ 300 V - 150W (TC)
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LXHF (CT 0,3600
RFQ
ECAD 5768 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E, LM 0,1800
RFQ
ECAD 4840 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 49 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 Kohms
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 9193 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J307 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 5a (ta) 1.5V, 4.5V 31mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 19 NC @ 4,5 V ± 8V 1170 pf @ 10 V - 700mW (TA)
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3, S5Q -
RFQ
ECAD 5357 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK8A10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 8a (ta) 10V 120mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 12,9 nc @ 10 V ± 20V 530 pf @ 10 V - 18W (TC)
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk12J60W, S1ve (s -
RFQ
ECAD 8348 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Bandeja Ativo 150 ° C. Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) - 1 (ilimito) 264-TK12J60WS1VE (s Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 600 v 11.5a (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3.7V A 600µA 25 nc @ 10 V ± 30V 890 pf @ 300 V - 110W (TC)
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3k15f, lf 0,2300
RFQ
ECAD 72 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 4OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100µA ± 20V 7,8 pf @ 3 V - 200MW (TA)
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 Padrão S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1,3 V @ 100 Ma 10 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 6pf @ 0V, 1MHz
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL, L1Q 0,9400
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH3R704 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 92A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 46a, 10V 2.4V @ 200µA 27 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 20 V - 960MW (TA), 81W (TC)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 2682 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6J53 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 Canal P. 20 v 1.8a (ta) 1.5V, 2,5V 136mohm @ 1a, 2.5V 1V @ 1MA 10,6 nc @ 4 V ± 8V 568 pf @ 10 V - 500mW (TA)
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU, LF 0,4500
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3H137 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 34 v 2a (ta) 4V, 10V 240mohm @ 1a, 10v 1.7V @ 1MA 3 nc @ 10 V ± 20V 119 pf @ 10 V - 800mW (TA)
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 5864 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-SMD (5 leads), Chumbo Plano SSM5H12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufv download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 1.9a (ta) 1.8V, 4V 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 1,9 nc @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 500mW (TA)
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D (T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 5025 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TK4P55 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Compatível 1 (ilimito) Tk4p55dt6rssq Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 550 v 4a (ta) 10V 1.88OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 80W (TC)
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU, LF 0,1800
RFQ
ECAD 33 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 170mA (TA) 4.5V, 10V 3.9OHM @ 100MA, 10V 2.1V @ 250µA 0,35 nc @ 4,5 V ± 20V 17 pf @ 10 V - 150mW (TA)
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-y, lxhf 0,3900
RFQ
ECAD 690 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 120 MW SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-gr, lxhf 0,4500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 (TOJS, Q, M) -
RFQ
ECAD 5031 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC5459 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 400 v 3 a 100µA (ICBO) Npn 1V a 150mA, 1.2a 20 @ 300MA, 5V -
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (CT 0,2800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-61AA RN2910 200mw SMQ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms -
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2710, lf 0,3000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms -
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU, LXHF 0,5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101, U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 6a (ta) 4V, 10V 36mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 100µA 9,3 nc @ 10 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1706, lf 0,3000
RFQ
ECAD 939 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LXHF 0,6200
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101, U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 3.5a (ta) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 100µA 3,2 nc @ 4,5 V ± 20V 430 pf @ 15 V - 1W (TA)
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709, lf 0,3100
RFQ
ECAD 8528 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2709 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1702, lf 0,3000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1702 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4907 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms 47kohms
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1703, lf 0,3100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1703 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4901 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2707, lf 0,2900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
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