SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3k37fs, lf 0,2300
RFQ
ECAD 122 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 SSM3K37 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 200Ma (TA) 1.5V, 4.5V 2.2OHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 12 pf @ 10 V - 100mW (TA)
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6p47nu, lf 0,4200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto SSM6P47 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 6 µdfn (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 4a 95mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4.6NC @ 4.5V 290pf @ 10V Portão de Nível Lógico
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL, LQ 0,6400
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN11006 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 26a (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 200µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1625 pf @ 30 V - 610MW (TA), 61W (TC)
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 (q) -
RFQ
ECAD 8209 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220 (W) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 70A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 35a, 10V 2.3V @ 1MA 87 nc @ 10 V ± 20V 5450 pf @ 10 V - 45W (TC)
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fu-y, lf 0,2700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y, S4X 1.5300
RFQ
ECAD 1059 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK560A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240µA 14,5 nc @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 30w
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 5591 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1968 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL, S4X 2.9400
RFQ
ECAD 99 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 175 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK3R2A10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 50 V - 54W (TC)
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF (d -
RFQ
ECAD 9558 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto SSM3K17 - 1 (ilimito) Ssm3k17sulf (d Ear99 8541.21.0095 3.000 100mA (ta)
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Rn49a1 (t5l, f, t) -
RFQ
ECAD 6337 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200mw US6 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 (TE12L, Q, M. -
RFQ
ECAD 5105 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8105 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 12 v 6a (ta) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 3a, 4.5V 1.2V @ 200µA 18 NC @ 5 V ± 8V 1600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 20W (TC)
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 (F, M) -
RFQ
ECAD 5165 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105, LF (CT 0,2000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2105 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC, L3F 0,3200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) CST3C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 500mW (TA)
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2404te85lf -
RFQ
ECAD 6084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-553 RN1701 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 NPN - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D, S5Q (m -
RFQ
ECAD 8354 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK20A25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 250 v 20A (TA) 10V 100mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 1Ma 55 nc @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 100 V - 45W (TC)
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ20 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 14 V 20 v 30 ohms
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 8747 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2970 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms 10kohms
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 1745 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2110 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 300 @ 1MA, 5V 4.7 Kohms
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409, LXHF 0,3400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300AN, LQ 0,9000
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN3300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 9.4a (TC) 10V 33mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 50 V - 700mW (TA), 27W (TC)
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X, S1F 4.6600
RFQ
ECAD 4357 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 TK25N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 25a (ta) 10V 125mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 1.2Ma 40 nc @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU (TE85L, f -
RFQ
ECAD 5581 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6K411 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Uf6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 10a (ta) 2.5V, 4.5V 12mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 1MA 9,4 NC a 4,5 V ± 12V 710 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-553 RN2708 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407, LXHF 0,3400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 (TE85L, F) 0,3400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 22kohms
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 (TE12L, F) 0,6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1 w Pw-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1.000 20 v 3 a 100na (ICBO) Pnp 190MV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500MA, 2V -
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721ote85lf 0.1207
RFQ
ECAD 5444 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150 MW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 300 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 30 @ 20MA, 10V 50MHz
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-bl, lf 0,2700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SA1587 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 350 @ 2MA, 6V 100MHz
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    Volume médio diário de RFQ

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    Unidade de produto padrão

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