SIC
close
Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn4902, lf -
RFQ
ECAD 2510 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F, S4X 1.0400
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK1K2A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 6a (ta) 10V 1.2OHM @ 3A, 10V 4V @ 630µA 21 NC @ 10 V ± 30V 740 PF @ 300 V - 35W (TC)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL, LQ 0,6800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN11003 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 11a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10V 2.3V @ 100µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 660 pf @ 15 V - 700MW (TA), 19W (TC)
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4903 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
RFQ
ECAD 7160 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2101 100 mw Cst3 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 (TE85L, F) 0,2700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2308 100 mw SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 (TE85L, F, M) -
RFQ
ECAD 1647 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6107 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) VS-6 (2.9x2.8) download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.5a (ta) 2V, 4.5V 55mohm @ 2.2a, 4.5V 1.2V @ 200µA 9,8 nc @ 5 V ± 12V 680 pf @ 10 V - 700mW (TA)
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0,0645
RFQ
ECAD 2650 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 Kohms
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 2448 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) TPC8208 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 450mw 8-SOP (5,5x6.0) download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 5a 50mohm @ 2.5a, 4v 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V Portão de Nível Lógico
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2115 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0,4600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS10 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 10V, 1MHz
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR (TE85L, f -
RFQ
ECAD 3368 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN3C51 300mw SM6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN1610 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7kohms -
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2104 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Rn2111mfv, l3f 0,2000
RFQ
ECAD 1153 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2111 150 MW Vesm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 10 Kohms
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (j -
RFQ
ECAD 1887 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1837 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
2SC4793(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (lbsan, f, m) -
RFQ
ECAD 3354 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC4793 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Npn 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y (T6Canofm -
RFQ
ECAD 8697 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2655 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) 2SC2655YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W, S5X 5.0100
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK28A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 27.6a (TA) 10V 110mohm @ 13.8a, 10V 3.5V @ 1.6MA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 45W (TC)
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0,1000
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1965 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LF (CT 0,2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4983 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2306, lf 0,1900
RFQ
ECAD 2146 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2306 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 (T5L, F, T) 0,0394
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200mw US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms -
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16fete85lf 0,3800
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6L16 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 N E P-Canal 20V 100mA 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (m -
RFQ
ECAD 9650 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC4793 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Npn 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
RFQ
ECAD 7126 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 16 v Montagem na Superfície TO-243AA RFM04U6 470MHz MOSFET Pw-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 2a 500 MA 4.3W 13.3dB - 6 v
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1116 100 mw SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0,2000
RFQ
ECAD 707 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS520 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 280 mV a 10 mA 5 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 17pf @ 0V, 1MHz
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1302, lf 0,2600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1302 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (m -
RFQ
ECAD 7133 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC6139 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque