SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1414, lf 0,1900
RFQ
ECAD 4137 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 1 Kohms 10 Kohms
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (Shp1, F, M -
RFQ
ECAD 9880 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2229 800 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16fete85lf 0,3800
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6L16 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 N E P-Canal 20V 100mA 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LF (CT 0,2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4983 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, lf -
RFQ
ECAD 9269 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (TE12L, F) -
RFQ
ECAD 7247 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 2SJ360 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pw-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1.000 Canal P. 60 v 1a (ta) 4V, 10V 730mohm @ 500mA, 10V 2V @ 1MA 6,5 nc @ 10 V ± 20V 155 pf @ 10 V - 500mW (TA)
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LF (CT 0,2800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2903 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ36 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 28,8 V 36 v 30 ohms
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LXHF (CT 0,0624
RFQ
ECAD 9067 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2113 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 Kohms
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 8527 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1315 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O (Q) 3.4500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3PL 2SA1987 180 w TO-3P (L) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800Ma, 8a 80 @ 1A, 5V 30MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1427te85lf 0,3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500na Npn - pré -tendencioso 250mv @ 1Ma, 50Ma 90 @ 100MA, 1V 300 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1311, lf 0,2200
RFQ
ECAD 5946 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1311 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 Kohms
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV99, LM 0,1900
RFQ
ECAD 687 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav99 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 100 v 215mA 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R (TE85L, F) 0,1270
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-61AA 2SC5087 150mW SMQ - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mA Npn 120 @ 20MA, 10V 8GHz 1.1db ~ 2db @ 1GHz
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 (TE12L, Q, M) 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS16 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA a 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1b04fu-y, lf 0,2700
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 150mA 100na (ICBO) Npn, pnp 250mv @ 10Ma, 100mA / 300mV @ 10Ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 150MHz
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5, S1X 3.0200
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK14E65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 13.7a (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V A 690µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Rn1132mfv, l3f 0,1800
RFQ
ECAD 2506 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN1132 150 MW Vesm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 kohms
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LXH 0,4000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 400mA (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100MA, 10V 2.1V @ 250µA 0,6 nc @ 4,5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 150mW (TA)
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk6a55da (sta4, q, m) 1.4900
RFQ
ECAD 8915 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK6A55 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 550 v 5.5a (ta) 10V 1.48OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 12 nc @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6l36tu, lf 0,3800
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6L36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW (TA) Uf6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N E P-Canal 20V 500mA (ta), 330mA (ta) 630MOHM @ 200MA, 5V, 1.31OHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V, 1.2NC @ 4V 46pf @ 10V, 43pf @ 10V Portão de Nível Lógico, unidade de 1,5V
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 9441 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2961 100mW ES6 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 8069 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0,0645
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T (TE85L) -
RFQ
ECAD 3763 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos HN2S03 Schottky Tesq - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 20 v 50mA 550 mV a 50 mA 500 Na @ 20 V 125 ° C (Máximo)
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage Hn1c01fu-y (t5l, f, t -
RFQ
ECAD 3498 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mw US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 250mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 795 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4607 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 1334 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200mw 5-SSOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 400 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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