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Produtos semicondutores discretos(181)

Imagem	Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade disponível	Peso (Kg)	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET
	ALD212900SAL	5.6228	Solicitação de cotação		7016	0,00000000	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo	0°C ~ 70°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD212900	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1209	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)	10,6 V	80mA	14Ohm	20mV @ 20µA	-	30pF a 5V	Portão de nível lógico