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Produtos semicondutores discretos(181)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tensão - Nominal	Temperatura operacional	Aplicativos	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Classificação atual (amperes)	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Tipo de transistor
ALD310700SCL	6.0054	Solicitação de cotação	8142	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C		Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD310700	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1287	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais P, por combinado		8V	-	-	20mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD212900PAL	6.6000	Solicitação de cotação	7	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD212900	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1212	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	80mA	14Ohm	20mV @ 20µA	-	30pF a 5V	Portão de nível lógico
ALD1107PBL	6.6500	Solicitação de cotação	323	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD1107	MOSFET (óxido metálico)	500mW	14-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1014	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais P, por combinado		10,6V	-	1800Ohm a 5V	1V @ 1µA	-	3pF a 5V	-
ALD114904SAL	5.1500	Solicitação de cotação	29	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD114904	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1064	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	12ma, 3ma	500 Ohm @ 3,6 V	360mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	Modo de esgotamento
ALD1101BSAL	6.6082	Solicitação de cotação	5829	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1101	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1217	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	40mA	-	-	-	-	-
ALD114804APCL	9.0404	Solicitação de cotação	1078	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD114804	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1053	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais N, por combinado		10,6V	12ma, 3ma	500 Ohm @ 3,6 V	380mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	Modo de esgotamento
ALD110908APAL	7.8996	Solicitação de cotação	4117	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD110908	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1038	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	12ma, 3ma	500 Ohm @ 4,8 V	810mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD1101BPAL	8.8038	Solicitação de cotação	6794	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD1101	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	75Ohm @ 5V	1V @ 10µA	-	-	-
ALD1102SAL	6.9000	Solicitação de cotação	54	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1102	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1007	EAR99	8541.21.0095	50	2 pares combinados de canais P (duplos)		10,6V	-	270Ohm a 5V	1,2 V a 10 µA	-	10pF a 5V	-
ALD910028SALI	5.3812	Solicitação de cotação	4378	Dispositivos lineares avançados Inc.	SAB®	Tubo	Ativo	10,6V		Balanceamento automático de supercapacitor	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD910028			8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 canais N (duplo)
ALD310702PCL	7.1248	Solicitação de cotação	4744	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C		Através do furo	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD310702	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1289	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais P, por combinado		8V	-	-	180mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD310700ASCL	7.4692	Solicitação de cotação	7722	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C		Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD310700	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1286	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais P, por combinado		8V	-	-	20mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD210800SCL	7.2700	Solicitação de cotação	48	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD210800	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1210	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais N, por combinado		10,6V	80mA	25Ohm	20mV @ 10µA	-	15pF a 5V	Portão de nível lógico
ALD1105PBL	6.6500	Solicitação de cotação	76	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD1105	MOSFET (óxido metálico)	500mW	14-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1010	EAR99	8541.21.0095	50	Par combinado de 2 canais N e 2 canais P		10,6V	-	500Ohm @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF a 5V	-
ALD110800APCL	9.6400	Solicitação de cotação	38	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD110800	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1016	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais N, por combinado		10,6V	-	500Ohm @ 4V	10mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD110902PAL	5.6464	Solicitação de cotação	9379	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD110902	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1034	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	500 Ohm @ 4,2 V	220mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD110900APAL	8.1500	Solicitação de cotação	34	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD110900	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1030	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	500Ohm @ 4V	10mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD1101SAL	6.9000	Solicitação de cotação	36	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1101	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1003	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	75Ohm @ 5V	1V @ 10µA	-	-	-
ALD1102ASAL	9.4700	Solicitação de cotação	4188	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1102	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1005	EAR99	8541.21.0095	50	2 pares combinados de canais P (duplos)		10,6V	-	270Ohm a 5V	1,2 V a 10 µA	-	-	-
ALD1101PAL	8.2700	Solicitação de cotação	100	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD1101	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1002	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	75Ohm @ 5V	1V @ 10µA	-	-	-
ALD910026SALI	5.3812	Solicitação de cotação	1253	Dispositivos lineares avançados Inc.	SAB®	Tubo	Ativo	10,6V		Balanceamento automático de supercapacitor	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD910026			8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 canais N (duplo)
ALD212914PAL	7.3830	Solicitação de cotação	3690	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		-		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD212914	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	80mA	-	20mV @ 10µA	-	-	Portão de nível lógico
ALD1116PAL	5.6500	Solicitação de cotação	102	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD1116	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1046	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	500Ohm @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF a 5V	-
ALD1102APAL	9.8096	Solicitação de cotação	3830	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD1102	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1004	EAR99	8541.21.0095	50	2 pares combinados de canais P (duplos)		10,6V	-	270Ohm a 5V	1,2 V a 10 µA	-	-	-
ALD114904PAL	5.8118	Solicitação de cotação	4355	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	8 DIP (0,300", 7,62mm)	ALD114904	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1063	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	12ma, 3ma	500 Ohm @ 3,6 V	360mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	Modo de esgotamento
ALD310704PCL	8.6100	Solicitação de cotação	7235	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C		Através do furo	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD310704	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1293	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais P, por combinado		8V	-	-	380mV @ 1µA	-	2,5pF a 5V	-
ALD810030SCLI	6.8000	Solicitação de cotação	34	Dispositivos lineares avançados Inc.	SAB®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-		Balanceamento automático de supercapacitor	Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD810030			16-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8542.39.0001	50		80mA								4 canaisN
ALD1108ESCL	5.2920	Solicitação de cotação	7993	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1108	MOSFET (óxido metálico)	600mW	16-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	50	4 canais N, por combinado		10V	-	500Ohm @ 5V	1,01V a 1µA	-	25pF a 5V	-
ALD1101ASAL	9.4700	Solicitação de cotação	46	Dispositivos lineares avançados Inc.	-	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	ALD1101	MOSFET (óxido metálico)	500mW	8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1001	EAR99	8541.21.0095	50	Par correspondente de 2 canais N (duplo)		10,6V	-	75Ohm @ 5V	1V @ 10µA	-	-	-
ALD210800APCL	9.7600	Solicitação de cotação	56	Dispositivos lineares avançados Inc.	EPAD®, Limiar Zero™	Tubo	Ativo		0°C ~ 70°C (TJ)		Através do furo	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ALD210800	MOSFET (óxido metálico)	500mW	16-PDIP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1014-1216	EAR99	8541.21.0095	50	4 canais N, por combinado		10,6V	80mA	25Ohm	10mV @ 10µA	-	15pF a 5V	Portão de nível lógico