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Produtos Semicondutores discretos (6716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4708 (DO35) | - |  | 4366 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4708 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16,7 V | 22 v | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N4736AG | 3.1350 | | 9625 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1n4749 g | - | | 6166 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4749 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5923DG | 7.5450 | | 7474 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5923 | 1,25 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 6,5 V | 8.2 v | 3,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5931CG | 6.0300 | | 6101 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5931 | 1,25 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13,7 V | 18 v | 12 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5938BG | 3.4050 | | 8518 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5938 | 1,25 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 27,4 V | 36 v | 38 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5951BG | 3.4050 | | 1877 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5951 | 1,25 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 v | 380 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N6770T1 | - | | 9247 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 2N6770 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 12a (ta) | 10V | 500mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||
| MSDM200-08 | - | | 6966 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M3-1 | Padrão | M3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,45 V @ 200 A | 500 µA A 800 V | 200 a | Três fase | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
| MSDM200-18 | - | | 2124 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M3-1 | Padrão | M3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,45 V @ 200 A | 500 µA @ 1800 V | 200 a | Três fase | 1,8 kV | ||||||||||||||||||||||||||
 | MSDM75-16 | - | | 1158 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | M2-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,6 V @ 150 A | 500 µA @ 1600 V | 75 a | Três fase | 1,6 kV | ||||||||||||||||||||||||||
| MSDM75-18 | - | | 6534 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | M2-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,6 V @ 150 A | 500 µA @ 1800 V | 75 a | Três fase | 1,8 kV | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT30DF120HJ | - | | 2590 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Padrão | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3,1 V @ 30 A | 100 µA A 1200 V | 45 a | Fase Única | 1,2 kV | |||||||||||||||||||||||||||
| APT30DL60HJ | - | | 5820 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Padrão | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 2 V @ 30 A | 250 µA A 600 V | 30 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||
| APT60DF120HJ | - | | 1006 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Padrão | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 60 A | 100 µA A 1200 V | 90 a | Fase Única | 1,2 kV | |||||||||||||||||||||||||||
| APT60DS04HJ | - | | 3743 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Schottky | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 580 mV @ 60 A | 30 mA a 45 V | 60 a | Fase Única | 45 v | |||||||||||||||||||||||||||
| APT60DS10HJ | - | | 5727 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Schottky | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 910 mV @ 60 A | 2 ma @ 100 V | 60 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||
| MSD75-18 | - | | 6353 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M2 | Padrão | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,6 V @ 150 A | 300 µA @ 1600 V | 75 a | Três fase | 1,8 kV | |||||||||||||||||||||||||||
| MSDM100-08 | - | | 3026 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | M2-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,9 V @ 300 A | 500 µA A 800 V | 100 a | Três fase | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
| MSDM150-12 | - | | 6694 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M3-1 | Padrão | M3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,4 V @ 150 A | 500 µA A 1200 V | 150 a | Três fase | 1,2 kV | ||||||||||||||||||||||||||
| MSDM150-16 | - | | 9205 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M3-1 | Padrão | M3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,4 V @ 150 A | 500 µA @ 1600 V | 150 a | Três fase | 1,6 kV | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N7227 | - | | 5528 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 14a (TC) | 10V | 415mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 13 PMT4624CE3/TR13 | - | | 5965 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1 w | DO-216 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 4,7 v | 1600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | MSD100-08 | - | | 3714 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SM3-20H | Padrão | M3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,9 V @ 300 A | 300 µA A 800 V | 100 a | Três fase | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF50DDA120T3G | - | | 9593 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP3 | 312 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper de Impulso Duplo | NPT | 1200 v | 70 a | 3.7V @ 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3.45 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5953CE3/TR13 | - | | 5098 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ5953 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 114 V | 150 v | 600 ohms | |||||||||||||||||||||||||
| SMBJ4742CE3/TR13 | - | | 7782 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ4742 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 9,1 V | 12 v | 9 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| SMBJ4750CE3/TR13 | - | | 6092 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ4750 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27 v | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5916AE3/TR13 | - | | 1153 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ5916 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 4.3 v | 6 ohms | |||||||||||||||||||||||||
| 1EZ160D2E3/TR8 | - | | 1784 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1Ez160 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 121,6 V | 160 v | 1400 ohms |
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