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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
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![]() | Jantx1N4979C | 18.2550 | ![]() | 7505 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 1N4979 | 5 w | E, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA @ 56 V | 75 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 13 PMT5914A/TR13 | - | ![]() | 8721 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1pmt5914 | 3 w | DO-216AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3,6 v | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386C/TR12 | - | ![]() | 6477 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5386 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 130 V | 180 v | 430 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H60T2G | - | ![]() | 7082 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP2 | 176 w | Padrão | SP2 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSAD120-16 | - | ![]() | 8247 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1600 v | 120a | 1,43 V @ 300 A | 6 mA a 1600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5355AE3/TR13 | - | ![]() | 8462 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ5355 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 13 V | 18 v | 2,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5388B | - | ![]() | 5128 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5388 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 144 V | 200 v | 480 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4982d | 29.4600 | ![]() | 2342 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 1N4982 | 5 w | E, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA A 76 V | 100 v | 110 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4749/TR13 | - | ![]() | 8764 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG4749 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ110D/TR12 | - | ![]() | 6072 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3EZ110 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 83,6 V | 110 v | 225 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4761A/TR13 | - | ![]() | 2389 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG4761 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 56 V | 75 v | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST16230A | - | ![]() | 4572 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do parafuso | To-249aa | Schottky | To-249 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 80a | 590 mV @ 80 A | 1 mA a 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5935BE3/TR13 | - | ![]() | 6957 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG5935 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 20,6 V | 27 v | 23 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ16D2E3/TR12 | - | ![]() | 6886 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ16 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 12,2 V | 16 v | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6040BN | - | ![]() | 3651 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 18a (TC) | 10V | 400mohm @ 9a, 10V | 4V @ 1MA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2950 PF @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5933B/TR13 | - | ![]() | 1901 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG5933 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 16,7 V | 22 v | 17,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5338E3/TR8 | - | ![]() | 3362 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5338 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA a 1 V | 5.1 v | 1,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4614d-1 | - | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Obsoleto | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 1,8 v | 1200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5388B/TR8 | - | ![]() | 2977 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5388 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 144 V | 200 v | 480 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n6760 | - | ![]() | 5974 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/542 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1.22OHM @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF544 | - | ![]() | 6748 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-39 | 3.5W | TO-39 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13.5dB | 70V | 400mA | Npn | 15 @ 50MA, 6V | 1,5 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT10SCE170B | - | ![]() | 6495 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23a | 1120pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N5014S | - | ![]() | 3417 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100DA33T1G | - | ![]() | 6155 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 23a (TC) | 10V | 396mohm @ 18a, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nc @ 10 V | ± 30V | 7868 pf @ 25 V | - | 390W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5949APE3/TR12 | - | ![]() | 1235 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5949 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 V | 100 v | 250 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5953BG | 3.4050 | ![]() | 6316 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5953 | 1,25 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 114 V | 150 v | 600 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mad1107e3/tu | - | ![]() | 5265 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 14-DIP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6660cat1 | - | ![]() | 6766 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/608 | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 45 v | 15a | 750 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptm50tdum65pg | - | ![]() | 7413 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4101 (DO35) | - | ![]() | 2027 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4101 | 400 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 6,24 V | 8.2 v | 200 ohms |
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