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Produtos Semicondutores discretos (6716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3EZ75D5E3/TR8 | - |  | 4057 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3Ez75 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 56 V | 75 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5260A (DO-35) | - | | 5669 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5260 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 31 V | 43 v | 93 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n3811l | - | | 6178 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-78-6 METAL CAN | 2N3811 | 350mw | TO-78-6 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (DUPLO) | 250mv @ 100µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGV30H60T3G | - | | 7693 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | 90 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | NPT, Parada de Campo da Trincheira | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 30A | 250 µA | Sim | 1.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF553G | - | | 2403 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | Macro de Potência | 3w | Macro de Potência | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 11db ~ 13db | 16V | 500mA | Npn | 30 @ 250mA, 5V | 175MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5925B/TR13 | - | | 2984 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG5925 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 8 V | 10 v | 4,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1001 | - | | 5447 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M174 | 270W | M174 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13dB | 18V | 20a | Npn | 20 @ 5A, 5V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Ez4.7d/tr8 | - | | 2271 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ4.7 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4,7 v | 4,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1701 | - | | 4345 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5338AE3/TR12 | - | | 8746 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5338 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA a 1 V | 5.1 v | 1,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5383/TR8 | - | | 9084 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5383 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 108 V | 150 v | 330 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2275 | - | | 2901 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UTV040 | - | | 1914 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Chassi, montagem em pântano | 55 Pés | 25W | 55 Pés | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9dB | 25V | 2.5a | Npn | 10 @ 500mA, 5V | 470MHz ~ 860MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ170D2/TR8 | - | | 1543 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3EZ170 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 130,4 V | 170 v | 650 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608H | - | | 5562 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25SM120S | - | | 4017 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo D-3 | Sicfet (Carboneto de Silício) | D3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 25a (TC) | 175mohm @ 10a, 20V | 2.5V @ 1MA | 72 NC @ 20 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372G | - | | 8510 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 2.2w | 8-so | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 8dB ~ 9,5dB | 16V | 200Ma | Npn | 30 @ 50MA, 5V | 870MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 13 PMT4624E3/TR13 | - | | 5985 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1 w | DO-216 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 4,7 v | 1600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPT300100A | - | | 7836 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 150a | 980 mV @ 200 A | 4 ma @ 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100U13SG | - | | 6195 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo J3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Módlo | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 65a (TC) | 10V | 145mohm @ 32.5a, 10V | 4V @ 10MA | 2000 nc @ 10 V | ± 30V | 31600 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ150D/TR12 | - | | 2623 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1EZ150 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 114 V | 150 v | 1300 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK35/TR13 | - | | 3052 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | SK35 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1013-20H | - | | 4733 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ16D10/TR8 | - | | 1031 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ16 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 12,2 V | 16 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4730PE3/TR12 | - | | 3650 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4730 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3,9 v | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5363B | - | | 3800 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5363 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 21,6 V | 30 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ140D5 | - | | 7482 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ140 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 106,4 V | 140 v | 500 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSAD70-18 | - | | 9655 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1800 v | 70A | 1,48 V @ 200 A | 5 mA @ 1800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5916AE3/TR13 | - | | 8224 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5916 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 6 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120DU29TG | - | | 6384 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 780W | Sp4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 34a | 348mohm @ 17a, 10V | 5V @ 5MA | 374NC @ 10V | 10300pf @ 25V | - |
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