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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5916CP/TR12 | - | ![]() | 4778 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5916 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3V | 6 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ7.5D10/TR8 | - | ![]() | 5241 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 3EZ7.5 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387B/TR12 | - | ![]() | 4708 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | T-18, Axial | 1N5387 | 5 W | T-18 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 137 V | 190 V | 450 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60DF100HJ | - | ![]() | 1749 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | padrão | SOT-227 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 2,8 V a 60 A | 100 µA a 1000 V | 90A | Monofásico | 1kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ5.1D2/TR12 | - | ![]() | 9844 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 2EZ5.1 | 2W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 5,1V | 3,5 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4744A/TR13 | - | ![]() | 4359 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-215AA, gaivota SMB | SMBG4744 | 2W | SMBG (DO-215AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 11,4 V | 15V | 14 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X41DC60J | - | ![]() | 7161 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | ISOTOP | APT2X41 | SiC (carboneto de silício) Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 2 Independente | 600V | 40A | 1,8 V a 40 A | 0 ns | 800 µA a 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2341 | - | ![]() | 1716 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montagem em chassi | M115 | 87,5W | M115 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9dB | 65V | 2,6A | NPN | - | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5376CE3/TR8 | - | ![]() | 1783 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | T-18, Axial | 1N5376 | 5 W | T-18 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA @ 63 V | 87V | 75 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5955C/TR13 | - | ![]() | 4804 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-215AA, gaivota SMB | SMBG5955 | 2W | SMBG (DO-215AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180V | 900 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ22D2E3/TR8 | - | ![]() | 2501 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 2EZ22 | 2W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22V | 12 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC80806 | - | ![]() | 1029 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT30045 | - | ![]() | 6215 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | MD3CC | Schottky | Torre Gêmea | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 150A | 760 mV a 200 A | 4 mA a 45 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5939BP/TR8 | - | ![]() | 3941 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5939 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39V | 45 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC750SMA120B | - | ![]() | 5495 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Ativo | MSC750 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4981DUS | 30.7500 | ![]() | 7568 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | SQ-MELF, E | 1N4981 | 5 W | D-5B | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 69,2 V | 91 V | 90 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ10D5 | - | ![]() | 1065 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 2EZ10 | 2W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7,6 V | 10V | 3,5 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M19JVR | - | ![]() | 7350 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Canal N | 200 V | 112A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 495 nC @ 10 V | ±30V | 11640 pF a 25 V | - | 500W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2944AUB | - | ![]() | 1334 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2944 | 400 mW | UB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 10V | 100 mA | 10µA (ICBO) | PNP | - | 100 @ 1mA, 500mV | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DSKM35T3G | - | ![]() | 3658 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | APTC60 | MOSFET (óxido metálico) | 416W | SP3 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 600V | 72A | 35mOhm a 72A, 10V | 3,9 V a 5,4 mA | 518nC @ 10V | 14000pF a 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6796 | - | ![]() | 9131 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/557 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 8A (Tc) | 10V | 195mOhm @ 8A, 10V | 4 V a 250 µA | 28,51 nC a 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30DQ100BCTG | - | ![]() | 6105 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-247-3 | APT30 | padrão | PARA-247 [B] | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1000V | 30A | 3 V a 30 A | 295 ns | 100 µA a 1000 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N4614D-1 | - | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Obsoleto | ±1% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 1 V | 1,8V | 1200 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384BE3/TR12 | - | ![]() | 8432 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | T-18, Axial | 1N5384 | 5 W | T-18 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA @ 115 V | 160 V | 350 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ170D5/TR12 | - | ![]() | 6548 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 3EZ170 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 650 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT94N65B2C3G | - | ![]() | 8606 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Variante TO-247-3 | APT94N65 | MOSFET (óxido metálico) | T-MAX™ [B2] | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 94A (Tc) | 10V | 35mOhm @ 47A, 10V | 3,9 V a 5,8 mA | 580 nC @ 10 V | ±20V | 13.940 pF a 25 V | - | 833W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40M42JN | - | ![]() | 4391 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 86A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 5mA | 760 nC @ 10 V | ±30V | 14.000 pF a 25 V | - | 690W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSKD165-18 | - | ![]() | 1147 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D2 | padrão | - | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1800 V | 165A | 1,4 V a 300 A | 9 mA @ 1800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40M75JN | - | ![]() | 5348 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 56A (Tc) | 10V | 75mOhm a 28A, 10V | 4 V a 2,5 mA | 370 nC @ 10 V | ±30V | 6.800 pF a 25 V | - | 520W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5265B (DO-35) | - | ![]() | 6911 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5265 | 500 mW | DO-35 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 47 V | 62 V | 185 Ohms |

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