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Produtos Semicondutores discretos (6716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4697 (DO35) | - |  | 2889 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4697 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA A 7,6 V | 10 v | |||||||||||||||||||
 | CPT400100 | - | | 4144 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 200a | 890 mV @ 200 A | 5 mA A 100 V | ||||||||||||||||||||
| 1N5528B (DO35) | - | | 2773 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5528 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 7,5 V | 8.2 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||
 | 2N6768T1 | - | | 7160 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 2N6768 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 14a (ta) | 10V | 400mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||
 | 13 PMT5920C/TR13 | - | | 7363 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1pmt5920 | 3 w | DO-216AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 2 ohms | ||||||||||||||||||
 | 3EZ10D5/TR8 | - | | 8127 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3EZ10 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 7,6 V | 10 v | 3,5 ohms | ||||||||||||||||||
| APTM100U13SG | - | | 6195 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo J3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Módlo | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 65a (TC) | 10V | 145mohm @ 32.5a, 10V | 4V @ 10MA | 2000 nc @ 10 V | ± 30V | 31600 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||
| 3EZ15DE3/TR12 | - | | 4568 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3Ez15 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 11,4 V | 15 v | 5,5 ohms | ||||||||||||||||||
| 1N5337C/TR12 | - | | 8040 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5337 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4,7 v | 2 ohms | ||||||||||||||||||
| 1N5379CE3/TR8 | - | | 3847 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5379 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 79,2 V | 110 v | 125 ohms | |||||||||||||||||||
| APTM120U10DAG | - | | 7637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 160A (TC) | 10V | 120mohm @ 58a, 10V | 5V @ 20MA | 1100 nc @ 10 V | ± 30V | 28900 pf @ 25 V | - | 3290W (TC) | ||||||||||||||
| 1N5956CPE3/TR12 | - | | 9030 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5956 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 152 V | 200 v | 1200 ohms | |||||||||||||||||||
 | MSCD60-08 | - | | 8975 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 60a | 1,3 V @ 200 A | 5 mA a 800 V | ||||||||||||||||||||
| MSCD36-12 | - | | 3901 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 36a | 1,25 V @ 100 A | 5 MA A 1200 V | ||||||||||||||||||||
 | Jan2n6790 | - | | 6124 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/555 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 3.5a (TC) | 10V | 850mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 14,3 nc @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TC) | ||||||||||||||
| 3Ez6.2d10e3/tr8 | - | | 7322 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3Ez6.2 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 1,5 ohms | ||||||||||||||||||
| 1N5363A/TR12 | - | | 4496 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5363 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 21,6 V | 30 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||
 | 2N6756 | - | | 9957 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 210mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||
| 1N5337BE3/TR12 | - | | 6654 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5337 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4,7 v | 2 ohms | |||||||||||||||||||
| 1N5381CE3/TR12 | - | | 3087 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5381 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 93,6 V | 130 v | 190 ohms | |||||||||||||||||||
| 1EZ120D10E3/TR12 | - | | 5951 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1Ez120 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 91,2 V | 120 v | 710 ohms | |||||||||||||||||||
 | Jantx1N4487D | 41.5800 | | 4166 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4487 | 1,5 w | DO-41 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 65,6 V | 82 v | 160 ohms | ||||||||||||||||||
| MSAD60-18 | - | | 2934 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1800 v | 60a | 1,3 V @ 200 A | 5 mA @ 1800 V | ||||||||||||||||||||
| 3EZ3.9D/TR12 | - | | 3657 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3EZ3.9 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 80 µA A 1 V | 3,9 v | 4,5 ohms | ||||||||||||||||||
| 1N5251B (DO-35) | - | | 8529 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5251 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | ||||||||||||||||||
| 2EZ36DE3/TR8 | - | | 2430 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ36 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 27,4 V | 36 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||
| 2EZ150D10/TR12 | - | | 7147 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2EZ150 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 114 V | 150 v | 575 ohms | ||||||||||||||||||
| 1N5947E3/TR13 | - | | 3437 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5947 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 62,2 V | 82 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||
| APTM60A23FT1G | - | | 3901 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 208W | SP1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 600V | 20a | 276mohm @ 17a, 10V | 5V @ 1MA | 165NC @ 10V | 5316pf @ 25V | - | |||||||||||||||
| 1EZ100D2E3/TR12 | - | | 9214 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1Ez100 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 v |
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