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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BC548 Fairchild Semiconductor BC548 0,0400
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
TIP115 Fairchild Semiconductor Tip115 1.0000
RFQ
 ECAD 4881 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Tip115 2 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 60 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
1N753ATR Fairchild Semiconductor 1n753atr 0,0400
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.2 v 7 ohms
FQP24N08 Fairchild Semiconductor FQP24N08 1.0000
RFQ
 ECAD 7566 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 80 v 24a (TC) 10V 60mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 25V 750 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDR8308P Fairchild Semiconductor FDR8308P 0,2900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) FDR83 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mw SuperSot ™ -8 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 3.2a 50mohm @ 3.2a, 4.5V 1,5V a 250µA 19NC @ 4.5V 1240pf @ 10V Portão de Nível Lógico
KST3904LGEMTF Fairchild Semiconductor KST3904LGEMTF 0,0600
RFQ
 ECAD 236 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.323 40 v 200 MA - Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
HUF75344A3 Fairchild Semiconductor HUF75344A3 1.3700
RFQ
 ECAD 616 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 208 NC @ 20 V ± 20V 4855 pf @ 25 V - 288.5W (TC)
S1G Fairchild Semiconductor S1G 0,0500
RFQ
 ECAD 186 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC, SMA download Ear99 8541.10.0080 6.217 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a -
FDU8896 Fairchild Semiconductor FDU8896 0,7200
RFQ
 ECAD 116 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 17a (ta), 94a (tc) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 60 nc @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
ISL9N312AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3 0,2900
RFQ
 ECAD 211 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 15 V - 75W (TA)
KSA1281YTA Fairchild Semiconductor KSA1281YTA 0,1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 1 w TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 2.213 50 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 500mA, 2V 100MHz
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor FQPF8N90C 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Fqpf8 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 900 v 6.3a (TC) 10V 1.9OHM @ 3.15A, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 2080 pf @ 25 V - 60W (TC)
FLZ3V0A Fairchild Semiconductor Flz3v0a -
RFQ
 ECAD 1071 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 35 µA @ 1 V 3 v 35 ohms
1N916B Fairchild Semiconductor 1n916b 0,0300
RFQ
 ECAD 259 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0070 11.539 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 20 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 2pf @ 0V, 1MHz
SS25 Fairchild Semiconductor SS25 0,1600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) download Ear99 8541.10.0080 1.876 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µA A 50 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a -
BZX79C10 Fairchild Semiconductor BZX79C10 0,0300
RFQ
 ECAD 203 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 100 Ma 200 Na @ 7 V 10 v 20 ohms
FES6G Fairchild Semiconductor Fes6g -
RFQ
 ECAD 8840 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Padrão TO-277-3 download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 6 A 25 ns 2 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
MBR1050 Fairchild Semiconductor MBR1050 0,7500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 MBR105 Schottky TO-220AC download Ear99 8541.10.0080 437 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 10 A 100 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a 400pf @ 4V, 1MHz
FFPF10U60STU Fairchild Semiconductor FFPF10U60STU 0,2700
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.110 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,2 V @ 10 A 90 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
FLZ22VB Fairchild Semiconductor Flz22vb 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 17 V 21,2 v 25,6 ohms
FQU3N60TU Fairchild Semiconductor Fqu3N60TU 0,5100
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5.040 N-canal 600 v 2.4a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
ISL9V2540S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2540S3ST 1.4100
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Lógica 166,7 w D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 15.5 a 1.8V @ 4V, 6a - 15.1 NC -/3,64µs
FD6M045N06 Fairchild Semiconductor FD6M045N06 6.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Power-spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco EPM15 FD6M045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - EPM15 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 19 2 canal n (Duplo) 60V 60a 4.5mohm @ 40a, 10V 4V A 250µA 87NC @ 10V 3890pf @ 25V -
SFS9Z24 Fairchild Semiconductor SFS9Z24 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 7.5a (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 29W (TC)
KSP94BU-FS Fairchild Semiconductor KSP94BU-FS -
RFQ
 ECAD 7215 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 400 v 300 mA 1µA Pnp 750MV @ 5MA, 50MA 50 @ 10MA, 10V -
ISL9N308AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N308AS3ST 0,8100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 8ohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 68 nc @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 100w (TC)
FDD6672A Fairchild Semiconductor FDD6672A 0,9900
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 65a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2V A 250µA 46 nc @ 4,5 V ± 12V 5070 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 70W (TC)
SFR9110TF Fairchild Semiconductor SFR9110TF 0,5600
RFQ
 ECAD 122 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 100 v 2.8a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.4A, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 20W (TC)
FQD5N50TM Fairchild Semiconductor FQD5N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.8OHM @ 1.75A, 10V 5V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
SSP2N60A Fairchild Semiconductor Ssp2n60a 0,3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 807 N-canal 600 v 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 30V 410 pf @ 25 V - 54W (TC)
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