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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
1N486B Fairchild Semiconductor 1n486b 1.0000
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 250 v 1 V @ 100 Ma 50 Na @ 225 V 175 ° C. 200Ma -
FDB6670S Fairchild Semiconductor FDB6670S 2.4900
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 62A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm@ 31a, 10v 3V @ 1Ma 32 NC @ 5 V ± 20V 2639 pf @ 15 V - 62.5W (TC)
HUF76645P3 Fairchild Semiconductor HUF76645P3 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 75a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 153 NC @ 10 V ± 16V 4400 pf @ 25 V - 310W (TC)
PF53012 Fairchild Semiconductor PF53012 0,0600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) TO-92-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal - 30 v 30 µA a 10 V 1,7 V @ 1 NA
MPSA14 Fairchild Semiconductor MPSA14 -
RFQ
 ECAD 6568 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.000 30 v 500 MA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1,5V a 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
MBR0540 Fairchild Semiconductor MBR0540 -
RFQ
 ECAD 5722 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 500 mA 20 µA A 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 500mA -
TIP111 Fairchild Semiconductor Tip111 0,2700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 80 v 2 a 2m NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V 25MHz
2N5950 Fairchild Semiconductor 2N5950 -
RFQ
 ECAD 8947 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 30 v Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) - JFET TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 15m - - -
BDX34A Fairchild Semiconductor BDX34A 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 70 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.070 60 v 10 a 500µA Pnp 2.5V @ 8MA, 4A 750 @ 4A, 3V -
FDY100PZ Fairchild Semiconductor Fdy100pz -
RFQ
 ECAD 9774 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-523F download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 350mA (TA) 1.8V, 4.5V 1.2OHM @ 350MA, 4.5V 1,5V a 250µA 1,4 NC a 4,5 V ± 8V 100 pf @ 10 V - 625MW (TA)
RHRP30120 Fairchild Semiconductor RHRP30120 -
RFQ
 ECAD 9134 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 3,2 V @ 30 A 85 ns 250 µA A 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a -
KSP94TA Fairchild Semiconductor Ksp94ta -
RFQ
 ECAD 1014 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.000 400 v 300 mA 1µA Pnp 750MV @ 5MA, 50MA 50 @ 10MA, 10V -
HUFA76429D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST 0,9200
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
1N916A Fairchild Semiconductor 1n916a 1.0000
RFQ
 ECAD 1634 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N916 Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 20 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 2pf @ 0V, 1MHz
KSD1589YTU Fairchild Semiconductor KSD1589ytu -
RFQ
 ECAD 7680 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 1,5 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 970 100 v 5 a 1µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3A, 2V -
1N970BTR Fairchild Semiconductor 1N970BTR 0,0500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 18,2 V 24 v 33 ohms
BD244A Fairchild Semiconductor BD244A -
RFQ
 ECAD 2717 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 65 w To-220 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BD244A-600039 1 60 v 6 a 700µA Pnp 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630A -
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 9a (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 72W (TC)
FQB19N20TM Fairchild Semiconductor FQB19N20TM 0,8800
RFQ
 ECAD 4720 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 254 N-canal 200 v 19.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.7a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
FDPF035N06B_F152 Fairchild Semiconductor FDPF035N06B_F152 1.0000
RFQ
 ECAD 5073 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 88a (TC) 3.5mohm @ 88a, 10V 4V A 250µA 99 NC @ 10 V ± 20V 8030 pf @ 30 V - 46.3W (TC)
FDS4470 Fairchild Semiconductor FDS4470 0,9100
RFQ
 ECAD 194 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8541.29.0095 329 N-canal 40 v 12.5a (TA) 10V 9mohm @ 12.5a, 10V 5V A 250µA 63 nc @ 10 V +30V, -20V 2659 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
FDLL300 Fairchild Semiconductor FDLL300 0,2900
RFQ
 ECAD 436 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 Padrão SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 2.500 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 125 v 1 V @ 200 mA 1 Na @ 125 V 175 ° C (max) 200Ma 6pf @ 0V, 1MHz
MM3Z2V4C Fairchild Semiconductor MM3Z2V4C 0,0300
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 8.663 1 V @ 10 Ma 45 µA @ 1 V 2,4 v 94 ohms
FDB42AN15A0-F085 Fairchild Semiconductor FDB42AN15A0-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 6651 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FDB42 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 150 v 35a (TC) 10V 42mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 25 V - 150W (TC)
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0,4700
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS995 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 50V 2a 300mohm @ 1.5a, 10V 4V A 250µA 15NC @ 10V 250pf @ 25V -
FDG330P Fairchild Semiconductor FDG330P 0,3400
RFQ
 ECAD 219 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-88 (SC-70-6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 12 v 2a (ta) 110mohm @ 2a, 4.5V 1,5V a 250µA 7 nc @ 4,5 V ± 8V 477 pf @ 6 V - 480MW (TA)
FD6M033N06 Fairchild Semiconductor FD6M033N06 3.8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Power-spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco EPM15 FD6M033 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - EPM15 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 19 2 canal n (Duplo) 60V 73a 3.3mohm @ 40a, 10V 4V A 250µA 129NC @ 10V 6010pf @ 25V -
SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor Ssw2n60btm 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 54W (TC)
FFPF06U20DNTU Fairchild Semiconductor Ffpf06u20dntu 0,3300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 6a 1,2 V @ 6 A 35 ns 6 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
1N755ATR Fairchild Semiconductor 1n755atr 0,0200
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 7,5 v 6 ohms
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