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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor FJN4302RTA 0,0300
RFQ
 ECAD 7488 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN430 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 472 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
FQI6N60CTU Fairchild Semiconductor FQI6N60CTU 0,7000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 5.5a (TC) 10V 2OHM @ 2.75A, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 125W (TC)
FDN358P Fairchild Semiconductor FDN358P -
RFQ
 ECAD 6844 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN358 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Supersot-3 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 1.5a (ta) 4.5V, 10V 125mohm @ 1.5a, 10V 3V A 250µA 5,6 nc @ 10 V ± 20V 182 pf @ 15 V - 500mW (TA)
FDB8442 Fairchild Semiconductor FDB8442 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 28a (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
FFSPF0665A Fairchild Semiconductor FFSPF0665A -
RFQ
 ECAD 4447 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2FS - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FFSPF0665A Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,75 V @ 6 A 0 ns 200 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 361pf @ 1V, 100kHz
FSBS5CH60 Fairchild Semiconductor FSBS5CH60 21.5100
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 3 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT FSBS5 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 16 3 fase 5 a 600 v 2500VRMS
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
 ECAD 158 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 0,5% - Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5263 500 MW - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 162 900 mV @ 200 mA 100 Na @ 41 V 56 v 150 ohms
FSBF5CH60B Fairchild Semiconductor Fsbf5ch60b 13.6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 3 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT Fsbf5 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 5 a 600 v 2500VRMS
1N959B Fairchild Semiconductor 1n959b 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 94 50 µA A 6,2 V 8.2 v 6,5 ohms
FQD5N20LTM Fairchild Semiconductor FQD5N20LTM 0,3300
RFQ
 ECAD 4354 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 358 N-canal 200 v 3.8a (TC) 5V, 10V 1.2OHM @ 1.9A, 10V 2V A 250µA 6,2 nc @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
PN2222TFR Fairchild Semiconductor Pn2222tfr -
RFQ
 ECAD 6552 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMBTA92 Fairchild Semiconductor MMBTA92 -
RFQ
 ECAD 3884 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 300 v 500 MA 250na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 40 @ 10MA, 10V 50MHz
2N4124TFR Fairchild Semiconductor 2N4124TFR 0,0200
RFQ
 ECAD 2405 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 2156-2N4124TFR-FSTR Ear99 8541.21.0075 2.000 25 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 300MHz
NDS9936 Fairchild Semiconductor NDS9936 0,5400
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS993 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 35NC @ 10V 525pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDS6676 Fairchild Semiconductor FDS6676 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 14.5a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 14.5a, 10V 3V A 250µA 63 nc @ 5 V ± 16V 5103 pf @ 15 V - 1W (TA)
HUF76131SK8T_NB82084 Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T_NB82084 -
RFQ
 ECAD 8464 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUF76131 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
MM3Z8V2C Fairchild Semiconductor MM3Z8V2C 0,0300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 8.586 1 V @ 10 Ma 630 Na @ 5 V 8.2 v 14 ohms
KSP2222ATA Fairchild Semiconductor KSP2222ATA 0,0500
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 6.497 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
BC558ABU Fairchild Semiconductor BC558ABU 0,0200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
BD435S Fairchild Semiconductor BD435S -
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD435 36 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 32 v 4 a 100µA Npn 500mv @ 200Ma, 2a 40 @ 10MA, 5V 3MHz
S3AB Fairchild Semiconductor S3AB 0,1400
RFQ
 ECAD 3273 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,15 V @ 3 A 1,5 µs 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4V, 1MHz
TIP116TU Fairchild Semiconductor Tip116tu -
RFQ
 ECAD 7356 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 80 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
FDFC3N108 Fairchild Semiconductor FDFC3N108 0,4100
RFQ
 ECAD 98 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 3a (ta) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 3a, 4.5V 1,5V a 250µA 4,9 nc a 4,5 V ± 12V 355 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) -
FDMC2512SDC Fairchild Semiconductor FDMC2512SDC -
RFQ
 ECAD 2558 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3,3x3.3) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 25 v 32a (ta), 40a (tc) 4.5V, 10V 2mohm @ 27a, 10V 2.5V @ 1MA 68 nc @ 10 V ± 20V 4410 pf @ 13 V - 3W (TA), 66W (TC)
HGTG20N60B3 Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3 -
RFQ
 ECAD 9298 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 165 w To-247 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HGTG20N60B3-600039 1 - - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V, 20A - 135 NC -
HUF75639S3 Fairchild Semiconductor HUF75639S3 -
RFQ
 ECAD 3715 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HUF75639S3-600039 1 N-canal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FFSH2065A Fairchild Semiconductor FFSH2065A -
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FFSH2065A-600039 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,75 V @ 20 A 0 ns 200 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 25a 1085pf @ 1V, 100kHz
MPSA92RLRMG Fairchild Semiconductor Mpsa92rlrmg 0,0400
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 625 MW TO-92 (TO-226) download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-MPSA92RLRMG-600039 Ear99 8541.21.0095 1 300 v 500 MA 250na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 25 @ 30MA, 10V 50MHz
IRFW550ATM Fairchild Semiconductor IRFW550ATM 0,6300
RFQ
 ECAD 847 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRFW550ATM-600039 Ear99 0000.00.0000 1
IRFR120 Fairchild Semiconductor IRFR120 0,4200
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRFR120-600039 1 N-canal 100 v 7.7a (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
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