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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BZX55C11 Fairchild Semiconductor BZX55C11 0,0500
RFQ
 ECAD 9821 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 8,5 V 11 v 20 ohms
FLZ2V7B Fairchild Semiconductor Flz2v7b 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 70 µA A 1 V 2,8 v 35 ohms
FDN371N Fairchild Semiconductor FDN371N 1.0000
RFQ
 ECAD 3691 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN371 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Supersot-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 2.5a (ta) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 10,7 nc @ 4,5 V ± 12V 815 pf @ 10 V - 500mW (TA)
KSC5321TU Fairchild Semiconductor KSC5321TU 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-KSC5321TU-600039 1
KSH45H11TF Fairchild Semiconductor KSH45H11TF 1.0000
RFQ
 ECAD 4431 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Ksh45 1,75 w D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 80 v 8 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V 40MHz
FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor Fcpf11n60nt 2.2300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild Supermos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 135 N-canal 600 v 10.8a (TC) 10V 299mohm @ 5.4a, 10V 4V A 250µA 35,6 nc @ 10 V ± 30V 1505 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
BCX70J Fairchild Semiconductor BCX70J 0,0300
RFQ
 ECAD 7992 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 490 45 v 200 MA 20na Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 125MHz
FSB50450UD Fairchild Semiconductor FSB50450UD 6.0600
RFQ
 ECAD 489 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 5 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 mm) MOSFET FSB50450 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 1.5 a 500 v 1500VRMS
FQPF11P06 Fairchild Semiconductor FQPF11P06 0,6200
RFQ
 ECAD 552 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 552 Canal P. 60 v 8.6a (TC) 10V 175mohm @ 4.3a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 30W (TC)
1N5229B Fairchild Semiconductor 1N5229B 0,0300
RFQ
 ECAD 233 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco 500 MW download Ear99 8541.10.0050 11.539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22 ohms
TN6719A Fairchild Semiconductor TN6719A -
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-226-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.500 300 v 200 MA 100na (ICBO) Npn 750MV @ 3MA, 30MA 40 @ 30MA, 10V -
PN2222ANLBU Fairchild Semiconductor Pn2222anlbu 1.0000
RFQ
 ECAD 3032 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 10.000 40 v 1 a 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
SS9011FBU Fairchild Semiconductor SS9011FBU -
RFQ
 ECAD 6413 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 9.134 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 300mV @ 1Ma, 10MA 54 @ 1MA, 5V 2MHz
KSP8098TA Fairchild Semiconductor Ksp8098ta 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 500 MA 100na Npn 300mv @ 10ma, 100mA 100 @ 1MA, 5V 150MHz
FPAB50PH60 Fairchild Semiconductor FPAB50PH60 17.0600
RFQ
 ECAD 347 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 10 2 fase 30 a 600 v 2500VRMS
BD442STU Fairchild Semiconductor BD442STU 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD442 36 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 4 a 100µA Pnp 800mv @ 200Ma, 2a 40 @ 500mA, 1V 3MHz
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor KSC2335RTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2324 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400 v 7 a 10µA (ICBO) Npn 1V @ 600MA, 3A 20 @ 1A, 5V -
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0,8700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 345 N-canal 100 v 8.3a (ta), 30a (tc) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10V 3V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
BZX55C43 Fairchild Semiconductor BZX55C43 0,0200
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 32 V 43 v 90 ohms
1N746A Fairchild Semiconductor 1n746a 1.9200
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 3,3 v 28 ohms
SFP9Z24 Fairchild Semiconductor SFP9Z24 0,1900
RFQ
 ECAD 9251 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.489 Canal P. 60 v 9.7a (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 49W (TC)
PN2222ARP Fairchild Semiconductor PN222222Arp -
RFQ
 ECAD 7038 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) PN2222 625 MW TO-92-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 10Na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FJAF6810AYDTBTU Fairchild Semiconductor FJAF6810AYDTBTU 0,5100
RFQ
 ECAD 4819 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 60 w TO-3PF - ROHS3 Compatível 2156-FJAF6810AYDTBTU-FS Ear99 8541.29.0095 30 750 v 10 a 1Ma Npn 3V @ 1.5a, 6a 5 @ 6a, 5V -
FQI4N20 Fairchild Semiconductor FQI4N20 -
RFQ
 ECAD 4903 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 950 N-canal 200 v 3.6a (TC) 10V 1.4OHM @ 1.8a, 10V 5V A 250µA 6,5 nc @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
BD678AS Fairchild Semiconductor BD678As 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 14 w TO-126-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BD678AS-600039 1 60 v 4 a 500µA PNP - Darlington 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2A, 3V -
KSC2330YH2TA Fairchild Semiconductor KSC2330YH2TA 0,2100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1 300 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 120 @ 20MA, 10V 50MHz
FDD8882 Fairchild Semiconductor FDD8882 0,5100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 588 N-canal 30 v 12.6a (ta), 55a (tc) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
FQP11P06 Fairchild Semiconductor FQP11P06 1.0000
RFQ
 ECAD 8214 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 60 v 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 53W (TC)
HUF75645S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75645S3ST_NL 4.1700
RFQ
 ECAD 342 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V 310W (TC)
MMSZ4689 Fairchild Semiconductor MMSZ4689 -
RFQ
 ECAD 7427 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 2 µA @ 3 V 5.1 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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