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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) POTÊNCIA - SAÍDA Ganho ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Figura de Ruído (dB typ @ f)
HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor HUFA76409D3S 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.224 N-canal 60 v 18a (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 16V 485 pf @ 25 V - 49W (TC)
BAT54-FS Fairchild Semiconductor BAT54-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 6262 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo BAT54 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000
FNA40860 Fairchild Semiconductor FNA40860 9.1100
RFQ
 ECAD 364 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 45 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 26-PowerDip (1.024 ", 26,00mm) IGBT download Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 8 a 600 v 2000Vrms
1N5400 Fairchild Semiconductor 1N5400 0,0200
RFQ
 ECAD 6663 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 2156-1N5400-FSTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 3 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
HUF76609D3 Fairchild Semiconductor HUF76609D3 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 100 v 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
FJP52000TU Fairchild Semiconductor FJP52000TU 1.0000
RFQ
 ECAD 5408 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
FDS7779Z Fairchild Semiconductor FDS7779Z -
RFQ
 ECAD 2035 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 16a (ta) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 16a, 10V 3V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 25V 3800 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDPF5N50FT Fairchild Semiconductor Fdpf5n50ft 0,9100
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 331 N-canal 500 v 4.5a (TC) 10V 1.55Ohm @ 2.25a, 10V 5V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 28W (TC)
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO FDM2509 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mw Microfet 2x2 Thin download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1200pf @ 10V Portão de Nível Lógico
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC560 500 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
HUF76419D3STR4921 Fairchild Semiconductor HUF76419D3STR4921 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 27,5 nc @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
MPS5179 Fairchild Semiconductor MPS5179 -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 200mw TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 774 - 12V 50mA Npn 25 @ 3MA, 1V 2GHz -
HUFA75321S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75321S3ST 0,7700
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
1N6008B Fairchild Semiconductor 1N6008B 1.8400
RFQ
 ECAD 546 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 17 V 22 v 55 ohms
FCB20N60-F085 Fairchild Semiconductor FCB20N60-F085 -
RFQ
 ECAD 8057 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Superfet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 20a (TC) 198MOHM @ 20A, 10V 5V A 250µA 102 NC @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 341W (TC)
BC858CMTF Fairchild Semiconductor BC858CMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
2N5246 Fairchild Semiconductor 2N5246 0,3000
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 30 v Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) - JFET TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 7ma - - -
FDMS3672 Fairchild Semiconductor FDMS3672 -
RFQ
 ECAD 7179 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (5x6), Power56 download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS3672 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 7.4a (ta), 22a (tc) 6V, 10V 23mohm @ 7.4a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2680 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FJY3009R Fairchild Semiconductor Fjy3009r 1.0000
RFQ
 ECAD 8646 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
FQB85N06TM Fairchild Semiconductor FQB85N06TM 1.4200
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 85a (TC) 10V 10mohm @ 42.5a, 10V 4V A 250µA 112 NC @ 10 V ± 25V 4120 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 160W (TC)
2N6520TA Fairchild Semiconductor 2N6520TA 1.0000
RFQ
 ECAD 5741 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 2N6520 625 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 350 v 500 MA 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5MA, 50MA 20 @ 50MA, 10V 200MHz
MM3Z33VC Fairchild Semiconductor MM3Z33VC 0,0300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 8.663 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 23 V 33 v 75 ohms
SI3948DV Fairchild Semiconductor SI3948DV -
RFQ
 ECAD 3735 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW (TA) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 30V 2.5a (ta) 145mohm @ 2a, 4.5V 3V A 250µA 3.2NC @ 5V 220pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 7.2a (ta), 44a (tc) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 120W (TC)
FDV302P Fairchild Semiconductor FDV302P -
RFQ
 ECAD 8849 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDV30 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download 0000.00.0000 1 Canal P. 25 v 120mA (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1,5V a 250µA 0,31 nc @ 4,5 V -8V 11000 pf @ 10 V - 350mW (TA)
FDD7030BL Fairchild Semiconductor FDD7030BL 0,4400
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor KSA1242ytu 0,1800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA 10 w I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 5.040 20 v 5 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 4A 160 @ 500MA, 2V 180MHz
FQP3N80C Fairchild Semiconductor Fqp3n80c 0,7500
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 401 N-canal 800 v 3a (TC) 10V 4.8OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 16,5 nc @ 10 V ± 30V 705 pf @ 25 V - 107W (TC)
FJN3309RTA Fairchild Semiconductor FJN3309RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 156 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN330 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
FQA14N30 Fairchild Semiconductor FQA14N30 1.7300
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 N-canal 300 v 15a (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 160W (TC)
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