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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) POTÊNCIA - SAÍDA Ganho ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
FLZ2V7B Fairchild Semiconductor Flz2v7b 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 70 µA A 1 V 2,8 v 35 ohms
BD1396STU Fairchild Semiconductor BD1396STU 0,2000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD139 1,25 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V -
FDN371N Fairchild Semiconductor FDN371N 1.0000
RFQ
 ECAD 3691 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN371 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Supersot-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 2.5a (ta) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 10,7 nc @ 4,5 V ± 12V 815 pf @ 10 V - 500mW (TA)
HUFA75321S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75321S3ST 0,7700
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
FDMS3672 Fairchild Semiconductor FDMS3672 -
RFQ
 ECAD 7179 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (5x6), Power56 download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS3672 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 7.4a (ta), 22a (tc) 6V, 10V 23mohm @ 7.4a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2680 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 7.2a (ta), 44a (tc) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 120W (TC)
FJP52000TU Fairchild Semiconductor FJP52000TU 1.0000
RFQ
 ECAD 5408 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
FDV302P Fairchild Semiconductor FDV302P -
RFQ
 ECAD 8849 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDV30 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download 0000.00.0000 1 Canal P. 25 v 120mA (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1,5V a 250µA 0,31 nc @ 4,5 V -8V 11000 pf @ 10 V - 350mW (TA)
BC858CMTF Fairchild Semiconductor BC858CMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
2N5246 Fairchild Semiconductor 2N5246 0,3000
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 30 v Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) - JFET TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 7ma - - -
FQP3N80C Fairchild Semiconductor Fqp3n80c 0,7500
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 401 N-canal 800 v 3a (TC) 10V 4.8OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 16,5 nc @ 10 V ± 30V 705 pf @ 25 V - 107W (TC)
SI3948DV Fairchild Semiconductor SI3948DV -
RFQ
 ECAD 3735 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW (TA) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 30V 2.5a (ta) 145mohm @ 2a, 4.5V 3V A 250µA 3.2NC @ 5V 220pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDD7030BL Fairchild Semiconductor FDD7030BL 0,4400
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
KSC838YTA Fairchild Semiconductor KSC838YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 1999 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.751 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 120 @ 2MA, 12V 250MHz
FQB85N06TM Fairchild Semiconductor FQB85N06TM 1.4200
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 85a (TC) 10V 10mohm @ 42.5a, 10V 4V A 250µA 112 NC @ 10 V ± 25V 4120 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 160W (TC)
FJY3009R Fairchild Semiconductor Fjy3009r 1.0000
RFQ
 ECAD 8646 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
MM3Z33VC Fairchild Semiconductor MM3Z33VC 0,0300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 8.663 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 23 V 33 v 75 ohms
FQA14N30 Fairchild Semiconductor FQA14N30 1.7300
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 N-canal 300 v 15a (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 160W (TC)
BZX85C43 Fairchild Semiconductor BZX85C43 0,0200
RFQ
 ECAD 7526 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.450 1,2 V @ 200 mA 500 Na @ 30 V 43 v 50 ohms
HUFA76429D3_NL Fairchild Semiconductor HUFA76429D3_NL 0,4800
RFQ
 ECAD 4596 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 197 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
FCI7N60 Fairchild Semiconductor FCI7N60 -
RFQ
 ECAD 5391 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 83W (TC)
FVP18030IM3LSG1 Fairchild Semiconductor FVP18030IM3LSG1 19.0600
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Semicondutor Fairchild SPM® Bandeja Obsoleto Através do buraco Módlo de 19-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 40 Meia Ponte 180 a 300 v 1500VRMS
FQD1N60CTM Fairchild Semiconductor FQD1N60CTM 0,2700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1.110 N-canal 600 v 1a (TC) 10V 11.5OHM @ 500MA, 10V 4V A 250µA 6,2 nc @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0,8700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 345 N-canal 100 v 8.3a (ta), 30a (tc) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10V 3V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
BZX55C43 Fairchild Semiconductor BZX55C43 0,0200
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 32 V 43 v 90 ohms
BD442STU Fairchild Semiconductor BD442STU 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD442 36 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 4 a 100µA Pnp 800mv @ 200Ma, 2a 40 @ 500mA, 1V 3MHz
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor KSC2335RTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2324 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400 v 7 a 10µA (ICBO) Npn 1V @ 600MA, 3A 20 @ 1A, 5V -
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L -
RFQ
 ECAD 3824 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263-7 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 300A (TC) 10V 1.4mohm @ 39a, 10V 4V A 250µA 243 NC @ 10 V ± 20V 19250 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904tar -
RFQ
 ECAD 2085 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 MA 50na Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
RF1K49157 Fairchild Semiconductor RF1K49157 0,5100
RFQ
 ECAD 960 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 6.3a (ta) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.3a, 10V 3V A 250µA 88 nc @ 20 V ± 20V 1575 pf @ 25 V - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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