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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 520 v 1.5a (TC) 10V 5.3OHM @ 750MA, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 25 V - 36W (TC)
TIP41CTU Fairchild Semiconductor Tip41ctu -
RFQ
 ECAD 4398 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 6 a 700µA Npn 1,5V a 600mA, 6a 30 @ 300mA, 4V 3MHz
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor KSC1008OTA 0,1500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 800 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 700 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 50Ma, 500mA 70 @ 50MA, 2V 50MHz
NDS9953A Fairchild Semiconductor NDS9953A 0,5700
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS995 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 30V 2.9a 130mohm @ 1a, 10V 2,8V a 250µA 25NC @ 10V 350pf @ 10V Portão de Nível Lógico
BDX34A Fairchild Semiconductor BDX34A 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 70 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.070 60 v 10 a 500µA Pnp 2.5V @ 8MA, 4A 750 @ 4A, 3V -
FDS6294 Fairchild Semiconductor FDS6294 0,4500
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS62 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 13a, 10v 3V A 250µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1205 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDD3672-F085 Fairchild Semiconductor FDD3672-F085 -
RFQ
 ECAD 7875 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDD3672-F085-600039 1 N-canal 100 v 44a (TC) 6V, 10V 47mohm @ 21a, 6v 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1635 pf @ 25 V - 144W (TC)
EGP20A Fairchild Semiconductor EGP20A 0,2200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-EGP20A-600039 1.348 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
FJY3012R Fairchild Semiconductor FJY3012R 0,0200
RFQ
 ECAD 2009 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
FDPF13N50FT Fairchild Semiconductor FDPF13N50FT 1.0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 293 N-canal 500 v 12a (TC) 10V 540mohm @ 6a, 10V 5V A 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1930 pf @ 25 V - 42W (TC)
FSBS3CH60 Fairchild Semiconductor FSBS3CH60 11.9400
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 3 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT FSBS3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 3 a 600 v 2500VRMS
FQPF3N90 Fairchild Semiconductor FQPF3N90 1.2300
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 900 v 2.1a (TC) 10V 4.25OHM @ 1.05A, 10V 5V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 43W (TC)
FDP6035AL Fairchild Semiconductor FDP6035AL 1.3600
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 48a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 24a, 10V 3V A 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
FQP5N20L Fairchild Semiconductor FQP5N20L 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 4.5a (TC) 5V, 10V 1.2OHM @ 2.25A, 10V 2V A 250µA 6,2 nc @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 52W (TC)
BZX84C8V2 Fairchild Semiconductor BZX84C8V2 0,0200
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 2% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C8 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 700 Na @ 5 V 8.2 v 15 ohms
1N914TR Fairchild Semiconductor 1n914tr 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 download Ear99 8541.10.0070 11.539 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
FDMS9408L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408L-F085 -
RFQ
 ECAD 7461 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 80a (TC) 1.7mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 5750 PF @ 20 V - 214W (TJ)
BZX84C5V6-FS Fairchild Semiconductor BZX84C5V6-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 3013 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 250 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.003 900 mV a 10 mA 1 µA @ 2 V 5,6 v 10 ohms
FQB19N20CTM Fairchild Semiconductor FQB19N20CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 3683 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 19a (TC) 10V 170mohm @ 9.5a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 139W (TC)
HUF75345S3S Fairchild Semiconductor HUF75345S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 1906 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
FQP4N50 Fairchild Semiconductor FQP4N50 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-FQP4N50-600039 1 N-canal 500 v 3.4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.7a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FDB8870 Fairchild Semiconductor FDB8870 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 23a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
2N4400TFR Fairchild Semiconductor 2N4400TFR 0,0200
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 50 @ 150mA, 1V -
BZX84C5V1 Fairchild Semiconductor BZX84C5V1 -
RFQ
 ECAD 5914 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 300 MW SOT23-3 (TO-236) - 0000.00.0000 1 2 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
2N3904TA Fairchild Semiconductor 2n3904ta 1.0000
RFQ
 ECAD 8415 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 MA - Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
KSD362R Fairchild Semiconductor KSD362R 0,2000
RFQ
 ECAD 4647 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 40 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.170 70 v 5 a 20µA (ICBO) Npn 1V @ 500MA, 5A 40 @ 5A, 5V 10MHz
IRFW634BTMFP001 Fairchild Semiconductor IRFW634BTMFP001 -
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 8.1a (ta) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 74W (TC)
FDS86267P Fairchild Semiconductor FDS86267P 1.0000
RFQ
 ECAD 3306 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 150 v 2.2a (ta) 6V, 10V 255mohm @ 2.2a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 25V 1130 pf @ 75 V - 1W (TA)
FQU4P25TU Fairchild Semiconductor FQU4P25TU 0,3400
RFQ
 ECAD 4481 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 23 Canal P. 250 v 3.1a (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
KSB834YTU Fairchild Semiconductor KSB834ytu 0,4500
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 300MA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
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