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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor KSC1008OTA 0,1500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 800 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 700 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 50Ma, 500mA 70 @ 50MA, 2V 50MHz
KSH340TF Fairchild Semiconductor KSH340TF 0,2700
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,56 w TO-252-3 (DPAK) download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 2.000 300 v 500 MA 100µA Npn - 30 @ 50MA, 10V -
SGU15N40LTU Fairchild Semiconductor SGU15N40LTU 0,8000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA SGU15 Padrão 45 w I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 - Trincheira 400 v 130 a 8V @ 4.5V, 130A - -
SGW23N60UFDTM Fairchild Semiconductor SGW23N60UFDTM 0,8300
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SGW23 Padrão 100 w D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 300V, 12A, 23OHM, 15V 60 ns - 600 v 23 a 92 a 2.6V @ 15V, 12a 115µJ (ON), 135µJ (Off) 49 NC 17ns/60ns
SS9015ABU Fairchild Semiconductor SS9015ABU 0,0200
RFQ
 ECAD 3817 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 450 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 2156-SS9015ABU-FS Ear99 8541.21.0075 1.000 45 v 100 ma 50na (ICBO) Pnp 700MV @ 5MA, 100mA 60 @ 1MA, 5V 190MHz
FSBB30CH60B Fairchild Semiconductor FSBB30CH60B 26.0300
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 10 3 fase 30 a 600 v 2500VRMS
FQPF13N10 Fairchild Semiconductor FQPF13N10 0,6100
RFQ
 ECAD 146 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 8.7a (TC) 10V 180mohm @ 4.35a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 30W (TC)
FFA20U20DNTU Fairchild Semiconductor FFA20U20DNTU 0,8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 1,2 V @ 20 A 40 ns 20 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor KSA1242ytu 0,1800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA 10 w I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 5.040 20 v 5 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 4A 160 @ 500MA, 2V 180MHz
FPAB50PH60 Fairchild Semiconductor FPAB50PH60 17.0600
RFQ
 ECAD 347 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 10 2 fase 30 a 600 v 2500VRMS
FDW2503N Fairchild Semiconductor FDW2503N 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 5.5a 21mohm @ 5.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10V Portão de Nível Lógico
PN2222ANLBU Fairchild Semiconductor Pn2222anlbu 1.0000
RFQ
 ECAD 3032 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 10.000 40 v 1 a 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
TN6714A Fairchild Semiconductor TN6714A 0,2400
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-226-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.500 30 v 2 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1A, 1V -
KSD1616ALBU Fairchild Semiconductor KSD1616albu 0,0700
RFQ
 ECAD 490 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 100mA, 2V 160MHz
ZTX749A Fairchild Semiconductor ZTX749A 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w To-226 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 35 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1A, 2V 100MHz
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 188 N-canal 30 v 19a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 3V A 250µA 56 nc @ 5 V ± 20V 3274 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FDMS0308CS 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 22a (TA) 3mohm @ 21a, 10V 3V @ 1Ma 66 nc @ 10 V 4225 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
RFQ
 ECAD 8715 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 250 v 2.3a (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V A 250µA 8,5 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor FJNS3202RTA -
RFQ
 ECAD 5508 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto FJNS32 300 MW Parágrafo 92s - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor FQAF8N80 1.6700
RFQ
 ECAD 557 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 800 v 5.9a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.95A, 10V 5V A 250µA 57 nc @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 107W (TC)
FFAF10U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF10U120DNTU 1.4800
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo para 3p-3 Padrão TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 10a 3,5 V @ 10 A 100 ns 10 µA A 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc 255 w Padrão SOT-227B download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 60 Solteiro - 600 v 96 a 2.7V @ 15V, 30A 250 µA Não
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120FTDTU -
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Padrão 220 w TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 - 575 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V, 15A - 100 nc -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 250 v 33a (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V A 250µA 48 nc @ 10 V ± 30V 2135 pf @ 25 V - 235W (TC)
FES16DT Fairchild Semiconductor FES16DT -
RFQ
 ECAD 7731 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Padrão To-220-2 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 170pf @ 4V, 1MHz
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
RFQ
 ECAD 8665 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16.5a (TA) 4.5V 7mohm @ 16.5a, 4.5V 2V A 250µA 48 NC a 4,5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor FQPF3N80CYDTU 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 (FORMAÇÃO Y) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 3a (TC) 10V 4.8OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 16,5 nc @ 10 V ± 30V 705 pf @ 25 V - 39W (TC)
NDC632P Fairchild Semiconductor NDC632P 1.0000
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 2.7a (ta) 2.7V, 4.5V 140mohm @ 2.7a, 4.5V 1V a 250µA 15 NC a 4,5 V -8V 550 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 50 @ 150mA, 1V -
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA75309P3 0,2500
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
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