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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tipo Triac Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
MMBD1703A Fairchild Semiconductor MMBD1703A 1.0000
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 50mA 1,1 V @ 50 mA 1 ns 50 Na @ 20 V 150 ° C (Máximo)
1N968BTR Fairchild Semiconductor 1n968btr 0,0400
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA A 15,2 V 20 v 25 ohms
FFPF60SB60DSTU Fairchild Semiconductor FFPF60SB60DSTU 0,3400
RFQ
 ECAD 946 0,00000000 Semicondutor Fairchild Stealth ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 946 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 4a 2,6 V @ 4 a 25 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S310-G Fairchild Semiconductor S310-G 0,2000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 3.000
GF1B Fairchild Semiconductor Gf1b -
RFQ
 ECAD 3807 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
MBR4035PT Fairchild Semiconductor MBR4035PT 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Schottky TO-3P download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 40A 700 mV @ 20 A 1 ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RFD3055 Fairchild Semiconductor RFD3055 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 60 v 12a (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 23 NC @ 20 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 53W (TC)
1N4002GP Fairchild Semiconductor 1N4002GP 0,1100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 2.919 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0,7700
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) NDH8521 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mW (TA) SuperSot ™ -8 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.21.0095 3.000 N E P-Canal 30V 3.8a (ta), 2.7a (ta) 33mohm @ 3.8a, 10v, 70mohm @ 2.7a, 10v 2V A 250µA 25NC @ 10V, 27NC @ 10V 500pf @ 15V, 560pf @ 15V -
KSA643YTA Fairchild Semiconductor KSA643YTA 0,0500
RFQ
 ECAD 559 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 20 v 500 MA 200na (ICBO) Pnp 400mv @ 50ma, 500a 120 @ 100mA, 1V -
MMSZ5255B Fairchild Semiconductor MMSZ5255B 1.0000
RFQ
 ECAD 1316 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 21 V 28 v 44 ohms
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor Fdz661pz 0,3200
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (0,8x0,8) download Ear99 8542.39.0001 952 Canal P. 20 v 2.6a (ta) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 8,8 nc @ 4,5 V ± 8V 555 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
FDS8896 Fairchild Semiconductor FDS8896 1.0000
RFQ
 ECAD 8481 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 15a (ta) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,5V a 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FQPF1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 500 v 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0,0400
RFQ
 ECAD 8136 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 258 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FLZ16VC Fairchild Semiconductor Flz16vc 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 12 V 16,1 v 15,2 ohms
FQU2N60CTLTU Fairchild Semiconductor Fqu2n60ctltU 0,3400
RFQ
 ECAD 5705 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 5 N-canal 600 v 1.9a (TC) 10V 4.7OHM @ 950MA, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 30V 235 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
FJV4102RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4102rmtf 0,0300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv410 200 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
FDPF10N50UT Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT 0,8600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 351 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1130 pf @ 25 V - 42W (TC)
KSA1281YTA Fairchild Semiconductor KSA1281YTA 0,1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 1 w TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 2.213 50 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 500mA, 2V 100MHz
NDT454P Fairchild Semiconductor Ndt454p 1.0000
RFQ
 ECAD 6529 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA NDT454 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 5.9a (ta) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.9a, 10V 2.7V @ 250µA 40 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 15 V - 3W (TA)
FFPF04U40DNTU Fairchild Semiconductor Ffpf04u40dntu 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 4a 1,4 V @ 4 a 45 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RHRG1560-F085 Fairchild Semiconductor RHRG1560-F085 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Padrão To-247-2 download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,3 V @ 15 A 55 ns 100 µA @ 1 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
BAV21 Fairchild Semiconductor BAV21 0,0200
RFQ
 ECAD 339 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAV21 Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 250 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V -50 ° C ~ 200 ° C. 250mA 5pf @ 0V, 1MHz
NDP6020P Fairchild Semiconductor NDP6020P -
RFQ
 ECAD 1059 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 NDP602 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 24a (TC) 4.5V 50mohm @ 12a, 4.5V 1V a 250µA 35 nc @ 5 V ± 8V 1590 pf @ 10 V - 60W (TC)
FKPF2N80 Fairchild Semiconductor FKPF2N80 -
RFQ
 ECAD 1594 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto - Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.30.0080 50 Solteiro 10 MA Lógica - Portão Sensível 800 v 2 a 1,5 v 9a, 10a 10 MA
MMBD1701A Fairchild Semiconductor MMBD1701A 0,1000
RFQ
 ECAD 966 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1,1 V @ 50 mA 1 ns 50 Na @ 20 V 150 ° C (Máximo) 50mA 1pf @ 0V, 1MHz
FQI10N20CTU Fairchild Semiconductor FQI10N20CTU 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
SS9014ABU-FS Fairchild Semiconductor SS9014ABU-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 450 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5Ma, 100mA 60 @ 1MA, 5V 270MHz
1N5408 Fairchild Semiconductor 1N5408 1.0000
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5408 Padrão DO15/DO204AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 3 A 1,5 µs 200 Na @ 1000 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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