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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
2N6076 Fairchild Semiconductor 2N6076 0,0200
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 1Ma, 10ma 100 @ 10Ma, 1V -
SS9013GBU Fairchild Semiconductor SS9013GBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.000 20 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 600mv @ 50Ma, 500mA 112 @ 50MA, 1V -
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor Fdd5n50ftm 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.55Ohm @ 1.75a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 40W (TC)
1N5380BG Fairchild Semiconductor 1N5380BG -
RFQ
 ECAD 7314 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco T-18, axial 5 w Axial download Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 91,2 V 120 v 170 ohms
FQA6N80 Fairchild Semiconductor FQA6N80 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 800 v 6.3a (TC) 10V 1.95OHM @ 3.15A, 10V 5V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 185W (TC)
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
RFQ
 ECAD 7713 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.29.0095 526 N-canal 60 v 17.6a (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 17.6a, 10V 3V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 878 pf @ 25 V - 41.7W (TJ)
FJV3115RMTF Fairchild Semiconductor Fjv3115rmtf -
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv311 200 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 33 @ 10Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
FDMS86252L Fairchild Semiconductor FDMS86252L -
RFQ
 ECAD 9092 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS86252L Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 4.4a (ta), 12a (tc) 4.5V, 10V 56mohm @ 4.4a, 10V 3V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1335 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDS7064N Fairchild Semiconductor FDS7064N 1.2700
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16a (ta) 4.5V 7.5mohm @ 16a, 4.5V 2V A 250µA 48 NC a 4,5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
MMBZ5238B Fairchild Semiconductor MMBZ5238B 0,0200
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 500 900 mV a 10 mA 3 µA A 6,5 V 8,7 v 8 ohms
BAV21-T50A Fairchild Semiconductor BAV21-T50A 244.9900
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) - 2156-BAV21-T50A 2 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 250 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 175 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
FJL42150TU Fairchild Semiconductor FJL42150TU 1.6200
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
IRFW540ATM Fairchild Semiconductor IRFW540ATM 0,6900
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 28a (TC) 10V 52mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
KSC2756YMTF Fairchild Semiconductor Ksc2756ymtf 0,0200
RFQ
 ECAD 6280 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.295 15dB ~ 23dB 20V 30Ma Npn 120 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
FQB7N10TM Fairchild Semiconductor FQB7N10TM 0,2900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 7.3a (TC) 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 4V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
FLZ18VA Fairchild Semiconductor FLZ18VA 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 13 V 16,7 v 19,4 ohms
HUF76013P3 Fairchild Semiconductor HUF76013P3 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 20 v 20a (TC) 5V, 10V 22mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 pf @ 20 V - 50W (TC)
FDB33N25TM Fairchild Semiconductor FDB33N25TM -
RFQ
 ECAD 7869 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 250 v 33a (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V A 250µA 48 nc @ 10 V ± 30V 2135 pf @ 25 V - 235W (TC)
HUFA76429D3_NL Fairchild Semiconductor HUFA76429D3_NL 0,4800
RFQ
 ECAD 4596 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 197 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
FDW2503NZ Fairchild Semiconductor FDW2503NZ 0,5500
RFQ
 ECAD 136 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 5.5a 20mohm @ 5.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1286pf @ 10V Portão de Nível Lógico
HUF75345P3 Fairchild Semiconductor HUF75345P3 -
RFQ
 ECAD 6800 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HUF75345P3-600039 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
KSC1393OBU Fairchild Semiconductor KSC1393OBU 0,0200
RFQ
 ECAD 3503 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.035 20dB ~ 24dB 30V 20mA Npn 60 @ 2MA, 10V 700MHz 2db ~ 3db @ 200MHz
D45C11 Fairchild Semiconductor D45C11 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 D45C 60 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 4 a 10µA Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 40 @ 200Ma, 1V 32MHz
FDB8876 Fairchild Semiconductor FDB8876 0,4800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 71a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 2,5V a 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 70W (TC)
SSW7N60BTM Fairchild Semiconductor SSW7N60BTM 0,7200
RFQ
 ECAD 697 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 1.2OHM @ 3.5A, 10V 4V A 250µA 50 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
HUFA76432S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76432S3ST 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 59a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 59a, 10V 3V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 16V 1765 pf @ 25 V - 130W (TC)
NDB6030PL Fairchild Semiconductor NDB6030PL 0,9000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab NDB603 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 8.000 Canal P. 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 19a, 10V 2V A 250µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1570 pf @ 15 V - 75W (TC)
BSS138K Fairchild Semiconductor BSS138K -
RFQ
 ECAD 2650 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 50 v 220mA (TA) 1.8V, 2,5V 1.6ohm @ 50ma, 5V 1.2V a 250µA 2,4 NC a 10 V ± 12V 58 pf @ 25 V - 350mW (TA)
FLZ36VC Fairchild Semiconductor Flz36vc 0,0200
RFQ
 ECAD 9474 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 4.513 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 34,3 v 63 ohms
KST14MTF Fairchild Semiconductor KST14MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 287 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST14 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 300 mA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1,5V a 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
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