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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RFP8P05 Fairchild Semiconductor RFP8P05 1.0000
RFQ
 ECAD 1742 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 50 v 8a (TC) 300mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 80 nc @ 20 V -
SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor Ssw2n60btm 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 54W (TC)
FDS6694 Fairchild Semiconductor FDS6694 0,4600
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 12a (ta) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 19 NC @ 5 V ± 20V 1293 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MMSZ5245B Fairchild Semiconductor MMSZ5245B -
RFQ
 ECAD 5050 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 11 V 15 v 13 ohms
FGH50N6S2D Fairchild Semiconductor FGH50N6S2D 10.6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 463 w To-247 download Ear99 8542.39.0001 29 390V, 30A, 3OHM, 15V 55 ns - 600 v 75 a 240 a 2.7V @ 15V, 30A 260µJ (ON), 250µJ (Off) 70 NC 13ns/55ns
BAV19 Fairchild Semiconductor BAV19 0,0200
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 2.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 120 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V 175 ° C (max) 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
RF1K4915696 Fairchild Semiconductor RF1K4915696 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 365 N-canal 30 v 6.3a (ta) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 10V 2030 pf @ 25 V - 2W (TA)
FQB7N30TM Fairchild Semiconductor FQB7N30TM 0,7800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 300 v 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
FFPF60SB60DSTU Fairchild Semiconductor FFPF60SB60DSTU 0,3400
RFQ
 ECAD 946 0,00000000 Semicondutor Fairchild Stealth ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 946 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 4a 2,6 V @ 4 a 25 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
IRF634B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF634B-FP001 1.0000
RFQ
 ECAD 7420 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-IRF634B-FP001-600039 1 N-canal 250 v 8.1a (TC) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 74W (TC)
1N5254BTR Fairchild Semiconductor 1N5254BTR -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-1N5254BTR-600039 1 100 Na @ 21 V 27 v 41 ohms
FDS6676AS Fairchild Semiconductor FDS6676As 0,5300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS66 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 614 N-canal 30 v 14.5a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 14.5a, 10V 3V @ 1Ma 63 nc @ 10 V ± 20V 2510 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FJY4012R Fairchild Semiconductor FJY4012R 1.0000
RFQ
 ECAD 7665 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY401 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 Kohms
FFB20UP20DN Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 1,15 V @ 10 A 40 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0,0400
RFQ
 ECAD 8136 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 258 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FES16ATR Fairchild Semiconductor Fes16atr 1.0000
RFQ
 ECAD 9743 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Padrão To-220-2 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 170pf @ 4V, 1MHz
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FQPF1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 500 v 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
KSA643YTA Fairchild Semiconductor KSA643YTA 0,0500
RFQ
 ECAD 559 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 20 v 500 MA 200na (ICBO) Pnp 400mv @ 50ma, 500a 120 @ 100mA, 1V -
FLZ16VC Fairchild Semiconductor Flz16vc 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 12 V 16,1 v 15,2 ohms
FFPF10U60STU Fairchild Semiconductor FFPF10U60STU 0,2700
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.110 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,2 V @ 10 A 90 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
S310-G Fairchild Semiconductor S310-G 0,2000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 3.000
FDS8896 Fairchild Semiconductor FDS8896 1.0000
RFQ
 ECAD 8481 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 15a (ta) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,5V a 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MMBD1703A Fairchild Semiconductor MMBD1703A 1.0000
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 50mA 1,1 V @ 50 mA 1 ns 50 Na @ 20 V 150 ° C (Máximo)
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0,7300
RFQ
 ECAD 950 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 3.6a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.8A, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
FDPF10N50UT Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT 0,8600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 351 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1130 pf @ 25 V - 42W (TC)
RURD4120S9A Fairchild Semiconductor RURD4120S9A 0,5700
RFQ
 ECAD 5574 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 20 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,1 V @ 4 A 90 ns 100 µA A 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
MMSZ5255B Fairchild Semiconductor MMSZ5255B 1.0000
RFQ
 ECAD 1316 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 21 V 28 v 44 ohms
RHRG1560-F085 Fairchild Semiconductor RHRG1560-F085 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Padrão To-247-2 download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,3 V @ 15 A 55 ns 100 µA @ 1 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor Fdz661pz 0,3200
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (0,8x0,8) download Ear99 8542.39.0001 952 Canal P. 20 v 2.6a (ta) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 8,8 nc @ 4,5 V ± 8V 555 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
FJV4102RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4102rmtf 0,0300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv410 200 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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