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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FQPF5N80 Fairchild Semiconductor FQPF5N80 0,7700
RFQ
 ECAD 610 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 800 v 2.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.4a, 10V 5V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 47W (TC)
FJC790TF Fairchild Semiconductor FJC790TF 0,1900
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 500 MW SOT-89-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 4.000 40 v 2 a 100na Pnp 450mv @ 50ma, 2a 300 @ 10MA, 2V -
FDU8780 Fairchild Semiconductor FDU8780 0,2900
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 25 v 35a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1440 PF @ 13 V - 50W (TC)
MBRS140 Fairchild Semiconductor MBRS140 -
RFQ
 ECAD 5077 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MBRS140 Schottky SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 mA a 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
FDW2509NZ Fairchild Semiconductor FDW2509NZ 0,4600
RFQ
 ECAD 220 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W (TA) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.500 2-canal n (Duplo) Dreno Comum 20V 7.1a (ta) 20mohm @ 7.1a, 4.5V 1,5V a 250µA 19NC @ 4.5V 1263pf @ 10V -
MBR1050 Fairchild Semiconductor MBR1050 0,7500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 MBR105 Schottky TO-220AC download Ear99 8541.10.0080 437 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 10 A 100 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a 400pf @ 4V, 1MHz
EGP20B Fairchild Semiconductor EGP20B 0,2400
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Ear99 8541.10.0080 1.348 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
PN3563 Fairchild Semiconductor PN3563 0,0400
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 350mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 14db ~ 26db 15V 50mA Npn 20 @ 8MA, 10V 1,5 GHz -
FLZ12VA Fairchild Semiconductor FLZ12VA 0,0200
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 9 V 11,4 v 9,5 ohms
SGS5N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGS5N60RUFDTU 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Sgs5n Padrão 35 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 300V, 5A, 40OHM, 15V 55 ns - 600 v 8 a 15 a 2.8V @ 15V, 5A 88µJ (ON), 107µJ (Off) 16 NC 13ns/34ns
KSB1116ALTA Fairchild Semiconductor KSB1116alta 1.0000
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 100mA, 2V 120MHz
SGF23N60UFTU Fairchild Semiconductor SGF23N60UFTU 1.4200
RFQ
 ECAD 154 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 SGF23N60 Padrão 75 w TO-3PF download Ear99 8541.29.0095 1 300V, 12A, 23OHM, 15V - 600 v 23 a 92 a 2.6V @ 15V, 12a 115µJ (ON), 135µJ (Off) 17ns/60ns
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor FMG2G400LS60 -
RFQ
 ECAD 5933 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ia FMG2 1.136 w Padrão 19: 00-ia download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 600 v 400 a 1.8V @ 15V, 400A 250 µA Não
1N963BTR Fairchild Semiconductor 1n963btr 0,0200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 9,1 V 12 v 11,5 ohms
FDS7766S Fairchild Semiconductor FDS7766S 2.3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 17a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 17a, 10V 3V @ 1Ma 58 nc @ 5 V ± 16V 4785 pf @ 15 V - 1W (TA)
1N970BTR Fairchild Semiconductor 1N970BTR 0,0500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 18,2 V 24 v 33 ohms
FQI4N20 Fairchild Semiconductor FQI4N20 -
RFQ
 ECAD 4903 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 950 N-canal 200 v 3.6a (TC) 10V 1.4OHM @ 1.8a, 10V 5V A 250µA 6,5 nc @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0,0400
RFQ
 ECAD 2375 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.855 50 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100mA, 2V 120MHz
DFB20100F162 Fairchild Semiconductor DFB20100F162 1.5700
RFQ
 ECAD 358 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P download Ear99 8541.10.0080 207 1,1 V @ 20 A 10 µA A 1 V 20 a Fase Única 1 kv
HRF3205_NL Fairchild Semiconductor Hrf3205_nl 1.0900
RFQ
 ECAD 392 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 100a (TC) 10V 8mohm @ 59a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
HUF75339P3 Fairchild Semiconductor HUF75339P3 -
RFQ
 ECAD 6949 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HUF75339P3-600039 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FDP3205 Fairchild Semiconductor FDP3205 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 100a (TC) 10V 7.5mohm @ 59a, 10V 5,5V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 7730 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDP7045L Fairchild Semiconductor FDP7045L 3.0400
RFQ
 ECAD 167 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 100a (TJ) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 58 nc @ 5 V ± 20V 4357 pf @ 15 V - 107W (TA)
FQA65N20 Fairchild Semiconductor FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 2980 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download 0000.00.0000 1 N-canal 200 v 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
SMUN5215T1G Fairchild Semiconductor SMUN5215T1G 1.0000
RFQ
 ECAD 8891 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-SMUN5215T1G-600039 Ear99 8541.21.0095 1
FDY2001PZ Fairchild Semiconductor Fdy2001pz 0,0600
RFQ
 ECAD 161 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 Fdy20 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 446MW SOT-563F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 150mA 8ohm a 150mA, 4,5V 1,5V a 250µA 1.4NC @ 4.5V 100pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDS4953 Fairchild Semiconductor FDS4953 -
RFQ
 ECAD 6317 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS49 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 30V 5a 55mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 9NC @ 5V 528pf @ 15V Portão de Nível Lógico
HUF76143S3ST Fairchild Semiconductor HUF76143S3ST 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
1N759A Fairchild Semiconductor 1n759a 1.9300
RFQ
 ECAD 91 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 12 v 30 ohms
FFAF20U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF20U120DNTU 2.6400
RFQ
 ECAD 558 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo para 3p-3 Padrão TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 20a 3,5 V @ 20 A 120 ns 20 µA A 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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