SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FFPF20UP20STU Fairchild Semiconductor FFPF20UP20STU 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F-2L download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 20 A 45 ns 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 20a -
KST14MTF Fairchild Semiconductor KST14MTF 0,0300
RFQ
ECAD 287 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST14 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 300 mA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1,5V a 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
ECAD 8611 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo Fdbl940 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.000 -
IRFW820BTM Fairchild Semiconductor IRFW820BTM 0,2700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 2.5a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.25a, 10V 4V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
HUFA75321D3ST Fairchild Semiconductor HUFA75321D3ST 0,4200
RFQ
ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Hufa75 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.500 N-canal 55 v 20a (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
KSH45H11TF Fairchild Semiconductor KSH45H11TF 1.0000
RFQ
ECAD 4431 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Ksh45 1,75 w D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 80 v 8 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V 40MHz
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
ECAD 166 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Hufa75 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 75a (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 480 nc @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0,1200
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-XFBGA, WLCSP FDZ1827 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 6-WLCSP (1,3x2.3) download Ear99 8542.39.0001 1 2-canal n (Duplo) Dreno Comum 20V 10a (ta) 13mohm @ 1a, 4.5V 1.2V a 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V -
BD435S Fairchild Semiconductor BD435S -
RFQ
ECAD 9366 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD435 36 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 32 v 4 a 100µA Npn 500mv @ 200Ma, 2a 40 @ 10MA, 5V 3MHz
2SA1943RTU Fairchild Semiconductor 2SA1943RTU 2.7700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA 150 w HPM F2 download Ear99 8541.29.0075 109 250 v 17 a 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800Ma, 8a 55 @ 1A, 5V 30MHz
2N5551 Fairchild Semiconductor 2N5551 -
RFQ
ECAD 4074 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5Ma, 50Ma 80 @ 10Ma, 5V 300MHz
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 -
RFQ
ECAD 4623 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 8.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,4 V @ 1,5 A 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 25pf @ 4V, 1MHz
FLZ3V6B Fairchild Semiconductor Flz3v6b 0,0200
RFQ
ECAD 2081 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.077 1,2 V @ 200 mA 2,8 µA a 1 V 3,7 v 48 ohms
FQI17N08TU Fairchild Semiconductor FQI17N08TU 0,5100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 16.5a (TC) 10V 115mohm @ 8.25a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 65W (TC)
KSH117TF Fairchild Semiconductor KSH117TF -
RFQ
ECAD 3635 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 100 v 2 a 20µA PNP - Darlington 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2A, 3V 25MHz
2N5086 Fairchild Semiconductor 2N5086 -
RFQ
ECAD 2079 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1,5 w Parágrafo 92 download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-2N5086-600039 1 50 v 50 MA 50na (ICBO) Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 150 @ 1MA, 5V 40MHz
MMBT2907AK Fairchild Semiconductor MMBT2907AK 1.0000
RFQ
ECAD 1193 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
HUF75343S3S Fairchild Semiconductor HUF75343S3S 1.1200
RFQ
ECAD 4055 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
2SA1381CSTU Fairchild Semiconductor 2SA1381CSTU 0,1000
RFQ
ECAD 7907 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 7 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 400 300 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 600mv @ 2Ma, 20Ma 40 @ 10MA, 10V 150MHz
FSB32560 Fairchild Semiconductor FSB32560 32.7700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 3 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 Inversor de três fases 25 a 600 v 2500VRMS
2N4126TFR Fairchild Semiconductor 2N4126TFR 0,0200
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 15.000 25 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 250MHz
KSC815YBU Fairchild Semiconductor KSC815YBU 0,0600
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 45 v 200 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 120 @ 50MA, 1V 200MHz
KSC2669YTA Fairchild Semiconductor KSC2669YTA 0,0200
RFQ
ECAD 9489 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto 200 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.752 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 120 @ 2MA, 12V 250MHz
RURD620 Fairchild Semiconductor RURD620 0,7100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Padrão I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 6 A 30 ns 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
HRF3205 Fairchild Semiconductor HRF3205 1.5800
RFQ
ECAD 82 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 100a (TC) 8mohm @ 59a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
FQPF33N10 Fairchild Semiconductor FQPF33N10 -
RFQ
ECAD 6086 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 18a (TC) 10V 52mohm @ 9a, 10V 4V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 25 V - 41W (TC)
HUF75829D3 Fairchild Semiconductor HUF75829D3 0,4900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 150 v 18a (TC) 10V 110mohm @ 18a, 10V 4V A 250µA 70 nc @ 20 V ± 20V 1080 pf @ 25 V - 110W (TC)
BZX79C12 Fairchild Semiconductor BZX79C12 0,0300
RFQ
ECAD 87 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 100 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 25 ohms
FFPF06U20STU Fairchild Semiconductor FFPF06U20STU 0,2200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 6 A 35 ns 6 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a -
MMPQ2907 Fairchild Semiconductor MMPQ2907 1.0000
RFQ
ECAD 2228 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MMPQ29 1w 16-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 40V 600mA 50na (ICBO) 4 PNP (Quad) 1.6V @ 30MA, 300mA 100 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque