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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FSAM75SM60SL Fairchild Semiconductor FSAM75SM60SL 46.6600
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Semicondutor Fairchild SPM® Volume Ativo Através do buraco Módlo de 32-PowerDip (1,370 ", 34,80mm) IGBT FSAM75 - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 75 a 600 v 2500VRMS
MMBT4401 Fairchild Semiconductor MMBT4401 -
RFQ
 ECAD 1454 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 15.000 40 v 600 mA 100na Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
HUF75631SK8T_NB82083 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T_NB82083 0,7100
RFQ
 ECAD 651 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 5.5a (ta) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FQI4N80TU Fairchild Semiconductor Fqi4n80tu 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 3.9a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.95a, 10V 5V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
FDMA8051L Fairchild Semiconductor FDMA8051L -
RFQ
 ECAD 8873 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) - 0000.00.0000 1 N-canal 40 v 10a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1260 pf @ 20 V - 2.4W (TA)
FQA14N30 Fairchild Semiconductor FQA14N30 1.7300
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 N-canal 300 v 15a (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 160W (TC)
KSC3265OMTF Fairchild Semiconductor KSC3265OMTF 0,0400
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 20Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 120MHz
FMS6G10US60 Fairchild Semiconductor FMS6G10US60 15.4500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 25 pm-aa 66 w Retificador de Ponte Trifásica 25 pm-aa download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 Inversor Trifásico - 600 v 10 a 2.7V @ 15V, 10A 250 µA Sim 710 pf @ 30 V
FDS9431A-F085 Fairchild Semiconductor FDS9431A-F085 -
RFQ
 ECAD 6085 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 130mohm @ 3.5a, 4.5V 1V a 250µA 8,5 nc a 4,5 V ± 8V 405 pf @ 10 V - 1W (TA)
FDC6392S Fairchild Semiconductor FDC6392S 1.0000
RFQ
 ECAD 9722 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC6392 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 Canal P. 20 v 2.2a (ta) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 2.2a, 4.5V 1,5V a 250µA 5,2 nc @ 4,5 V ± 12V 369 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 960MW (TA)
FQI7N80TU Fairchild Semiconductor Fqi7n80tu -
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8542.39.0001 1.516 Canal P. 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1,5V a 250µA 16 nc @ 4,5 V ± 8V 925 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
FDW262P Fairchild Semiconductor FDW262P 0,5700
RFQ
 ECAD 178 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 20 v 4.5a (ta) 1.8V, 4.5V 47mohm @ 4.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 18 NC a 4,5 V ± 8V 1193 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
IRLR120ATF Fairchild Semiconductor IRLR120ATF 0,6100
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 100 v 8.4a (TC) 5V 220mohm @ 4.2a, 5V 2V A 250µA 15 nc @ 5 V ± 20V 440 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 35W (TC)
FDPF10N50FT Fairchild Semiconductor FDPF10N50FT 0,8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 347 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 850mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1170 pf @ 25 V - 42W (TC)
BC856BMTF Fairchild Semiconductor BC856BMTF -
RFQ
 ECAD 3208 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150MHz
FQB8N90CTM Fairchild Semiconductor FQB8N90CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 2139 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 900 v 6.3a (TC) 10V 1.9OHM @ 3.15A, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 2080 pf @ 25 V - 171W (TC)
FDD16AN08A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nl -
RFQ
 ECAD 7944 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 75 v 9a (ta), 50a (tc) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 47 nc @ 10 V ± 20V 1874 PF @ 25 V - 135W (TC)
FDC658AP-G Fairchild Semiconductor FDC658AP-G -
RFQ
 ECAD 8803 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDC658AP-G-600039 Ear99 8541.29.0095 1
FDD850N10L Fairchild Semiconductor FDD850N10L -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 15.7a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 12a, 10V 2,5V a 250µA 28,9 nc @ 10 V ± 20V 1465 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQP17N08L Fairchild Semiconductor FQP17N08L 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 16.5a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 8.25a, 10V 2V A 250µA 11,5 nc @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 65W (TC)
FQPF5N90 Fairchild Semiconductor FQPF5N90 1.4700
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 205 N-canal 900 v 3a (TC) 10V 2.3OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 51W (TC)
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0,2000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMC6680 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FGB30N6S2 Fairchild Semiconductor FGB30N6S2 0,9300
RFQ
 ECAD 5843 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 167 w D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 225 390V, 12A, 10OHM, 15V - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V, 12A 55µJ (ON), 100µJ (OFF) 23 NC 6ns/40ns
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
 ECAD 9332 0,00000000 Semicondutor Fairchild Dual Cool ™, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Dual Cool ™ 33 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDMC7660DC-600039 1 N-canal 30 v 30A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 22a, 10V 2,5V a 250µA 76 nc @ 10 V ± 20V 5170 pf @ 15 V - 3W (TA), 78W (TC)
FCPF220N80 Fairchild Semiconductor FCPF220N80 -
RFQ
 ECAD 2260 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FCPF220 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 23a (TC) 10V 220mohm @ 11.5a, 10V 4.5V @ 2.3mA 105 nc @ 10 V ± 20V 4560 pf @ 100 V - 44W (TC)
FDME910PZT Fairchild Semiconductor Fdme910pzt 1.0000
RFQ
 ECAD 3527 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-PowerUfdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Microfet 1.6x1.6 Thin download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 8a (ta) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1,5V a 250µA 21 NC a 4,5 V ± 8V 2110 pf @ 10 V - 2.1W (TA)
1N5229BTR Fairchild Semiconductor 1N5229BTR 0,0300
RFQ
 ECAD 155 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco 500 MW download Ear99 8541.10.0050 11.539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22 ohms
FSB50550U Fairchild Semiconductor FSB50550U 6.9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild SPM® Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 mm) MOSFET download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 15 3 fase 2 a 500 v 1500VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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