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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RB751S40 Fairchild Semiconductor RB751S40 -
RFQ
 ECAD 1295 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523F RB751 Schottky SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 370 mV @ 1 Ma 500 Na @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C. 30Ma -
FJD3076TM Fairchild Semiconductor FJD3076TM 0,2400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 FJD3076 1 w D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1.268 32 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 800mv @ 200Ma, 2a 130 @ 500MA, 3V 100MHz
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor FQD7N20LTM -
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 5.5a (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V A 250µA 9 nc @ 5 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
HUFA76409T3ST Fairchild Semiconductor HUFA76409T3ST 0,5200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUFA76409 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.500 -
HUF76437S3ST Fairchild Semiconductor HUF76437S3ST 0,5200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10V 3V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
RURP820CC Fairchild Semiconductor RURP820CC 0,5200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 Avalanche TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 8a 975 mV @ 8 a 13 ns 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
HUF76429P3 Fairchild Semiconductor HUF76429P3 1.0000
RFQ
 ECAD 6078 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 60 v 47a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
EGP20A Fairchild Semiconductor EGP20A 0,2200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-EGP20A-600039 1.348 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4702 Fairchild Semiconductor MMSZ4702 0,0300
RFQ
 ECAD 4562 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-MMSZ4702-600039 Ear99 8541.10.0080 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 11,4 V 15 v
1N914TR Fairchild Semiconductor 1n914tr 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 download Ear99 8541.10.0070 11.539 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
FDR844P Fairchild Semiconductor FDR844P 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -8 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 10a (ta) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 10a, 4.5V 1,5V a 250µA 74 NC a 4,5 V ± 8V 4951 pf @ 10 V - 1.8W (TA)
FGP90N30TU Fairchild Semiconductor FGP90N30TU 1.0000
RFQ
 ECAD 1406 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 192 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - - 300 v 90 a 130 a 1.4V @ 15V, 20A - 130 NC -
HUF76609D3 Fairchild Semiconductor HUF76609D3 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 100 v 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
BDX34A Fairchild Semiconductor BDX34A 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 70 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.070 60 v 10 a 500µA Pnp 2.5V @ 8MA, 4A 750 @ 4A, 3V -
KBP10M Fairchild Semiconductor KBP10M 0,2400
RFQ
 ECAD 2136 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 404 1 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 1.5 a Fase Única 1 kv
1N914BWS Fairchild Semiconductor 1N914BWS -
RFQ
 ECAD 5234 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Padrão SOD-323F download Ear99 8541.10.0070 15.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
PN2222TA Fairchild Semiconductor PN222222TA -
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 30 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10MV 300MHz
FJV3115RMTF Fairchild Semiconductor Fjv3115rmtf -
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv311 200 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 33 @ 10Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor FMG2G400LS60 -
RFQ
 ECAD 5933 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ia FMG2 1.136 w Padrão 19: 00-ia download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 600 v 400 a 1.8V @ 15V, 400A 250 µA Não
FDA16N50LDTU Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU 1.5800
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 (FiOS Formados) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN (FormAção L) download Ear99 8542.39.0001 190 N-canal 500 v 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
PN3567 Fairchild Semiconductor PN3567 0,0200
RFQ
 ECAD 6138 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.522 40 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 250mv @ 15Ma, 150mA 40 @ 150mA, 1V -
HUF76105SK8T Fairchild Semiconductor HUF76105SK8T 0,3300
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 5.5a (ta) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.5a, 10V 3V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 114 N-canal 100 v 14a (ta), 45a (tc) 6V, 10V 6mohm @ 14a, 10V 4V A 250µA 50 nc @ 10 V ± 20V 3370 pf @ 50 V - 2.7W (TA), 125W (TC)
NDB7052L Fairchild Semiconductor NDB7052L 0,7600
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 50 v 75a (TC) 5V, 10V 7.5mohm @ 37.5a, 10V 2V A 250µA 130 nc @ 5 V ± 16V 4030 pf @ 25 V - 150W (TC)
SI3948DV Fairchild Semiconductor SI3948DV -
RFQ
 ECAD 3735 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW (TA) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 30V 2.5a (ta) 145mohm @ 2a, 4.5V 3V A 250µA 3.2NC @ 5V 220pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FQP20N06L Fairchild Semiconductor FQP20N06L -
RFQ
 ECAD 2169 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 21a (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2,5V a 250µA 13 NC @ 5 V ± 20V 630 PF @ 25 V - 53W (TC)
MPSA10 Fairchild Semiconductor MPSA10 0,0200
RFQ
 ECAD 7589 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.21.0095 1.660 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - 40 @ 5µA, 10V 125MHz
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor FJNS3202RTA -
RFQ
 ECAD 5508 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto FJNS32 300 MW Parágrafo 92s - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
KSC1845PTA Fairchild Semiconductor KSC1845PTA 1.0000
RFQ
 ECAD 9449 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 120 v 50 MA 50na (ICBO) Npn 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 1MA, 6V 110MHz
FMKA130L Fairchild Semiconductor FMKA130L -
RFQ
 ECAD 1927 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 4.121 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 410 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
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    Unidade de produto padrão

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    2800+

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