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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Ganho ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
KSP06BU Fairchild Semiconductor Ksp06bu 1.0000
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 ECAD 5024 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Ksp06 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 500 MA 100na Npn 250mv @ 10ma, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
FCP21N60N Fairchild Semiconductor FCP21N60N 2.3100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Ativo - Através do buraco To-220-3 FCP21 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 600 v - - - - -
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8542.39.0001 1.516 Canal P. 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1,5V a 250µA 16 nc @ 4,5 V ± 8V 925 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
FQD5N50CTM Fairchild Semiconductor FQD5N50CTM 0,5100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 4a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FDD6770A Fairchild Semiconductor FDD6770A 0,7100
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 FDD677 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 25 v 24a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 3V A 250µA 47 nc @ 10 V ± 20V 2405 pf @ 13 V - 3.7W (TA), 65W (TC)
FLZ16VB Fairchild Semiconductor Flz16vb 0,0200
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 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 12 V 15,7 v 15,2 ohms
DFB20100F162 Fairchild Semiconductor DFB20100F162 1.5700
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 ECAD 358 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P download Ear99 8541.10.0080 207 1,1 V @ 20 A 10 µA A 1 V 20 a Fase Única 1 kv
FDPF18N20FT Fairchild Semiconductor Fdpf18n20ft -
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 ECAD 1903 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download 0000.00.0000 1 N-canal 200 v 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 41W (TC)
IRFS654B Fairchild Semiconductor IRFS654B 1.0800
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 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 21a (TJ) 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 4V A 250µA 123 nc @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 50W (TC)
BC81825MTF Fairchild Semiconductor BC81825MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 289 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0,7300
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 ECAD 950 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 3.6a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.8A, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
KSC1674OTA Fairchild Semiconductor KSC1674OTA 0,0200
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 - 20V 20mA Npn 70 @ 1MA, 6V 600MHz 3db ~ 5db @ 100MHz
ISL9V3040S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3040S3ST 1.2100
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 ECAD 1475 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Lógica 150 w D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 21 a 1.6V @ 4V, 6a - 17 NC -/4,8µs
FJNS3206RTA Fairchild Semiconductor FJNS3206RTA 0,0200
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 ECAD 6358 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto FJNS32 300 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.900 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
73282 Fairchild Semiconductor 73282 0,4900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 7328 - download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 2.500 60V 12a 107mohm @ 8a, 5V 3V A 250µA 6.2NC @ 5V -
FDMS9408L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408L-F085 -
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 ECAD 7461 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 80a (TC) 1.7mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 5750 PF @ 20 V - 214W (TJ)
KSB1097YTU Fairchild Semiconductor KSB1097YTU 0,3700
RFQ
 ECAD 940 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 60 v 7 a 10µA (ICBO) Pnp 500mv @ 500Ma, 5a 100 @ 3A, 1V -
FVP12030IM3LEG1 Fairchild Semiconductor FVP12030Im3LEG1 18.3200
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 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild SPM® Bandeja Obsoleto Através do buraco Módlo de 19-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 40 Meia Ponte 120 a 300 v 1500VRMS
FNA40860B2 Fairchild Semiconductor FNA40860B2 12.9000
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 ECAD 211 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 45 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 26-PowerDip (1.024 ", 26,00mm) IGBT download Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 8 a 600 v 2000Vrms
HRF3205 Fairchild Semiconductor HRF3205 1.5800
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 100a (TC) 8mohm @ 59a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
FMM7G50US60I Fairchild Semiconductor FMM7G50US60i 28.1700
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Módlo 139 w Retificador de Ponte Trifásica - download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-FMM7G50US60I Ear99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico com freio - 600 v 50 a 2.7V @ 15V, 50A 250 µA Sim 3.565 NF @ 30 V
FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor Fcpf11n60nt 2.2300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild Supermos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 135 N-canal 600 v 10.8a (TC) 10V 299mohm @ 5.4a, 10V 4V A 250µA 35,6 nc @ 10 V ± 30V 1505 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321P3 0,6400
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 468 N-canal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
BC857AMTF Fairchild Semiconductor BC857Amtf 0,0300
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FLZ5V1B Fairchild Semiconductor Flz5v1b -
RFQ
 ECAD 3154 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 190 Na @ 1,5 V 5.1 v 17 ohms
FDS4672A Fairchild Semiconductor FDS4672A -
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 ECAD 6057 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS4672 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 11a (ta) 4.5V 13mohm @ 11a, 4.5V 2V A 250µA 49 NC @ 4,5 V ± 12V 4766 PF @ 20 V - 2.5W (TA)
FFAF05U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF05U120DNTU 1.0600
RFQ
 ECAD 699 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo para 3p-3 Padrão TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 5a 3,5 V @ 5 A 100 ns 5 µA A 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0,5300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS885 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N E P-Canal 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2,8V a 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V Portão de Nível Lógico
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 50 Na @ 14 V 20 v 55 ohms
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor FQD12N20TF 0,5300
RFQ
 ECAD 6346 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5 N-canal 200 v 9a (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
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