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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tipo Triac Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Figura de Ruído (dB typ @ f)
MM5Z33V Fairchild Semiconductor MM5Z33V -
RFQ
 ECAD 6709 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 6,06% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 50 Na @ 23,2 V 33 v 80 ohms
FGA15N120ANTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120ANTDTU -
RFQ
 ECAD 5007 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Padrão 186 w TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 10OHM, 15V 330 ns NPT E Trench 1200 v 30 a 45 a 2.4V @ 15V, 15A 3mj (ON), 600µJ (OFF) 120 NC 15ns/160ns
FDS5670 Fairchild Semiconductor FDS5670 1.0000
RFQ
 ECAD 5582 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 10a (ta) 6V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KSC1187YBU Fairchild Semiconductor KSC1187YBU 1.0000
RFQ
 ECAD 8905 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 20 v 30 mA 100na (ICBO) Npn - 120 @ 2MA, 10V 700MHz
BDX54C Fairchild Semiconductor BDX54C -
RFQ
 ECAD 5656 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 60 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 100 v 8 a 500µA PNP - Darlington 2V @ 12Ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
HUF75637P3 Fairchild Semiconductor HUF75637P3 0,5200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 16.5a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 8.25a, ​​10V 2V A 250µA 11,5 nc @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 65W (TC)
PZTA56 Fairchild Semiconductor PZTA56 -
RFQ
 ECAD 7268 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 1 w SOT-223-4 - 2156-PZTA56 1 80 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 10ma, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
FKN2L60FBU Fairchild Semiconductor Fkn2l60fbu 0,1400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.30.0080 1.000 Solteiro 10 MA Lógica - Portão Sensível 600 v 1.5 a 1,5 v 9a, 10a 5 MA
FDQ7238AS Fairchild Semiconductor FDQ7238As 0,8300
RFQ
 ECAD 643 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDQ72 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.3W, 1.1W 14-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 14a, 11a 13.2mohm @ 11a, 10v 3V A 250µA 24NC @ 10V 920pf @ 15V Portão de Nível Lógico
BD675AS Fairchild Semiconductor BD675As 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD675 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 4 a 500µA NPN - Darlington 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2A, 3V -
KSC900LTA Fairchild Semiconductor KSC900LTA 0,0200
RFQ
 ECAD 8238 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.925 25 v 50 MA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 2Ma, 20Ma 350 @ 500µA, 3V 100MHz
KSC2756OMTF Fairchild Semiconductor KSC2756OMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 6579 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.632 15dB ~ 23dB 20V 30Ma Npn 90 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor Njvmjb41ct4g 0,5600
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 2 w D²pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NJVMJB41CT4G-600039 Ear99 8541.29.0095 577 700µA Npn 1,5V a 600mA, 6a 15 @ 3A, 4V 3MHz
FDP023N08B Fairchild Semiconductor FDP023N08B 2.1300
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDP023 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
NDB4060 Fairchild Semiconductor NDB4060 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 15a (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 50W (TC)
FDB5645 Fairchild Semiconductor FDB5645 3.8100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 80a (TA) 6V, 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4V A 250µA 107 NC @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 30 V - 125W (TC)
MBR1545CT Fairchild Semiconductor MBR1545CT 1.0000
RFQ
 ECAD 2464 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 Schottky To-220-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 840 mV @ 15 A 100 µA A 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU 0,4700
RFQ
 ECAD 136 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-KSC5402DTTU-600039 1 450 v 2 a 100µA Npn 750MV @ 200Ma, 1A 6 @ 1A, 1V 11MHz
SFP9540 Fairchild Semiconductor SFP9540 0,6100
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 100 v 17a (TC) 10V 200mohm @ 8.5a, 10V 4V A 250µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1535 pf @ 25 V - 132W (TC)
1N4151TR Fairchild Semiconductor 1n4151tr 0,0200
RFQ
 ECAD 158 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0070 30.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 50 Ma 4 ns 50 Na @ 50 V 175 ° C (max) 150mA 2pf @ 0V, 1MHz
FJC1308RTF Fairchild Semiconductor Fjc1308rtf 0,0700
RFQ
 ECAD 5963 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 500 MW SOT-89-3 download ROHS3 Compatível 2156-FJC1308RTF Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 3 a 500na Pnp 450mv a 150mA, 1.5a 180 @ 500MA, 2V -
HUF75339S3ST Fairchild Semiconductor HUF75339S3ST 0,8800
RFQ
 ECAD 650 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FQPF3N40 Fairchild Semiconductor FQPF3N40 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 400 v 1.6a (TC) 10V 3.4OHM @ 800MA, 10V 5V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 30V 230 PF @ 25 V - 20W (TC)
5HP01M-TL-E-FS Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E-FS 0,1000
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000
FQU6N40CTU Fairchild Semiconductor Fqu6N40CTU -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5.040 N-canal 400 v 4.5a (TC) 10V 1OHM @ 2.25A, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3-FS 3.5900
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 165 w To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 - - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V, 20A - 135 NC -
RURD660 Fairchild Semiconductor RURD660 -
RFQ
 ECAD 4302 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-251-2, IPAK Padrão TO-251-2 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 6 A 60 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
SSP1N60B Fairchild Semiconductor Ssp1n60b 0,1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 1a (TC) 10V 12OHM @ 500MA, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 34W (TC)
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
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 ECAD 2532 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) FJN331 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 Kohms
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