SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
KSH45H11TM Fairchild Semiconductor KSH45H11TM 0,3400
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 500 80 v 8 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 60 @ 2A, 1V 40MHz
FDMA530PZ Fairchild Semiconductor FDMA530PZ -
RFQ
ECAD 5634 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download Ear99 8542.39.0001 418 Canal P. 30 v 6.8a (ta) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.8a, 10V 3V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 25V 1070 pf @ 15 V - 2.4W (TA)
BC860BMTF Fairchild Semiconductor BC860BMTF -
RFQ
ECAD 4952 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150MHz
KSC815YTA Fairchild Semiconductor KSC815YTA 0,0300
RFQ
ECAD 41 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 200 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 120 @ 50MA, 1V 200MHz
2N5088TF Fairchild Semiconductor 2N5088TF 1.0000
RFQ
ECAD 1025 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.000
FDP46N30 Fairchild Semiconductor FDP46N30 -
RFQ
ECAD 6188 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDP46N30-600039 0000.00.0000 1
MMBT3906T-FS Fairchild Semiconductor MMBT3906T-FS -
RFQ
ECAD 8161 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 250 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 200 MA 50na Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
1N5233B.TA Fairchild Semiconductor 1n5233b.ta 0,0200
RFQ
ECAD 2087 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 download Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 3,5 V 6 v 7 ohms
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
ECAD 6413 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 2.8a (TC) 10V 2.5OHM @ 1.4a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
BAS70SL-FS Fairchild Semiconductor Bas70sl-fs 1.0000
RFQ
ECAD 1502 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-923 Schottky SOD-923F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 15 mA 8 ns 200 Na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70mA 3pf @ 0V, 1MHz
FQNL1N50BBU Fairchild Semiconductor FQNL1N50BBU -
RFQ
ECAD 7014 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 270mA (TC) 10V 9OHM @ 135MA, 10V 3.7V @ 250µA 5,5 nc @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
FDPF8N50NZU Fairchild Semiconductor FDPF8N50NZU 1.0500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet-ii ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 287 N-canal 500 v 6.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 40W (TC)
BZX85C4V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C4V3-FS 1.0000
RFQ
ECAD 2792 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 4.3 v 13 ohms
FDPF16N50 Fairchild Semiconductor FDPF16N50 -
RFQ
ECAD 5923 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 16a (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FDLL914A Fairchild Semiconductor Fdll914a 0,0200
RFQ
ECAD 6982 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 Padrão SOD-80 download Ear99 8542.39.0001 3.258 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 20 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175 ° C (max) 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
BD681S Fairchild Semiconductor BD681S 0,3000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD681 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 100 v 4 a 500µA NPN - Darlington 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
FDB6021P Fairchild Semiconductor FDB6021P 0,7800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 20 v 28a (TA) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 14a, 4.5V 1,5V a 250µA 28 NC a 4,5 V ± 8V 1890 pf @ 10 V - 37W (TC)
ISL9V2040P3 Fairchild Semiconductor ISL9V2040P3 1.0000
RFQ
ECAD 8532 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 130 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 10 a 1.9V @ 4V, 6a - 12 NC -/3,64µs
MJE210STU-FS Fairchild Semiconductor MJE210STU-FS -
RFQ
ECAD 5013 0,00000000 Semicondutor Fairchild MJE210 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 15 w SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 25 v 5 a 100na (ICBO) Pnp 1.8V @ 1A, 5A 70 @ 500MA, 1V 65MHz
KSA1156YSTSTU Fairchild Semiconductor KSA1156YSTSTU -
RFQ
ECAD 6983 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 KSA1156 1 w TO-126-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 400 v 500 MA 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 10Ma, 100mA 100 @ 100mA, 5V -
FQP3N50CTF Fairchild Semiconductor FQP3N50CTF 0,3700
RFQ
ECAD 1431 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo Fqp3n - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 724 -
MBR2060CT Fairchild Semiconductor MBR2060CT -
RFQ
ECAD 9805 0,00000000 Semicondutor Fairchild SwitchMode ™ Volume Ativo Através do buraco To-220-3 MBR2060 Schottky TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v - 850 mV @ 10 A 1 mA a 60 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BC81816MTF Fairchild Semiconductor BC81816MTF 1.0000
RFQ
ECAD 6249 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
MM3Z20VC Fairchild Semiconductor MM3Z20VC 0,0300
RFQ
ECAD 55 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 11.539 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 14 V 20 v 51 ohms
FFB2222A Fairchild Semiconductor FFB2222A 1.0000
RFQ
ECAD 9966 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB22 300mw SC-88 (SC-70-6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40V 500mA 10na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
SS16 Fairchild Semiconductor SS16 -
RFQ
ECAD 8293 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMA (DO-214AC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.316 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 200 µA A 60 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
FQI2P25TU Fairchild Semiconductor Fqi2p25tu 0,7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 2.3a (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V A 250µA 8,5 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FDMS8570S Fairchild Semiconductor FDMS8570S 0,5100
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS85 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 v 24a (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.2V @ 1Ma 425 nc @ 10 V ± 12V 2825 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FDS4488 Fairchild Semiconductor FDS4488 0,5000
RFQ
ECAD 117 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.500 N-canal 30 v 7.9a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.9a, 10V 3V A 250µA 13 NC @ 5 V ± 25V 927 PF @ 15 V - 1W (TA)
FDY1002PZ Fairchild Semiconductor Fdy1002pz -
RFQ
ECAD 1950 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 FDY1002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 446MW SOT-563F download Ear99 8542.39.0001 20 2 Canal P (Duplo) 20V 830mA 500mohm @ 830mA, 4,5V 1V a 250µA 3.1NC @ 4.5V 135pf @ 10V Portão de Nível Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque