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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FQB13N50CTM Fairchild Semiconductor FQB13N50CTM -
RFQ
 ECAD 3104 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 500 v 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 195W (TC)
FQI12N60CTU Fairchild Semiconductor FQI12N60CTU 1.0900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 30V 2290 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 225W (TC)
RHRG1560CC-F085 Fairchild Semiconductor RHRG1560CC-F085 -
RFQ
 ECAD 2886 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Padrão To-247-3 download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 15a 2,3 V @ 15 A 55 ns 100 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
HUF76432S3STR4908 Fairchild Semiconductor HUF76432S3STR4908 0,9300
RFQ
 ECAD 7476 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - 0000.00.0000 100
FDP120AN15A0 Fairchild Semiconductor FDP120AN15A0 0,9000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 150 v 2.8a (ta), 14a (tc) 6V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 14,5 nc @ 10 V ± 20V 770 pf @ 25 V - 65W (TC)
BZX85C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2-T50A 0,0400
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 6,45% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) - Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 1 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 3 V 6.2 v 4 ohms
2N5210BU Fairchild Semiconductor 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 6560 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 50 v 100 ma 50na Npn 700mv @ 1Ma, 10MA 200 @ 100µA, 5V 30MHz
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor MMBZ5226B 0,0200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 900 mV a 10 mA 25 µA @ 1 V 3,3 v 28 ohms
FDP16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDP16AN08A0 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 357 N-canal 75 v 9a (ta), 58a (tc) 6V, 10V 16mohm @ 58a, 10V 4V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1857 pf @ 25 V - 135W (TC)
EGP30K Fairchild Semiconductor EGP30K 0,2800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 3 A 75 ns 5 µA A 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 75pf @ 4V, 1MHz
BC548C Fairchild Semiconductor BC548C 0,0400
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.000 30 v 100 ma 15Na Npn 250mv @ 500µA, 10MA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
FDMS7558S Fairchild Semiconductor FDMS7558S -
RFQ
 ECAD 6319 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 25 v 32a (ta), 49a (tc) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 32a, 10V 3V @ 1Ma 119 NC @ 10 V ± 20V 7770 PF @ 13 V - 2.5W (TA), 89W (TC)
SFW9520TM Fairchild Semiconductor SFW9520TM 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 49W (TC)
1N5257B Fairchild Semiconductor 1N5257B -
RFQ
 ECAD 7381 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-1N5257B-600039 1 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58 ohms
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor FDBL0150N60 4.4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-hpsof download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDBL0150N60 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 240a (TC) 10V 1.5mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 169 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 30 V - 357W (TJ)
FSB50450 Fairchild Semiconductor FSB50450 5.8000
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 5 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 mm) MOSFET FSB504 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 1.5 a 500 v 1500VRMS
BC850C Fairchild Semiconductor BC850C -
RFQ
 ECAD 9989 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76419D3ST 0,5300
RFQ
 ECAD 713 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 HUFA76419 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 713 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 27,5 nc @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 -
RFQ
 ECAD 9562 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS94 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 80a (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 92 NC @ 10 V ± 20V 5120 pf @ 25 V - 214W (TJ)
FDP2614 Fairchild Semiconductor FDP2614 -
RFQ
 ECAD 2460 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDP2614 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 62a (TC) 10V 27mohm @ 31a, 10V 5V A 250µA 99 NC @ 10 V ± 30V 7230 pf @ 25 V - 260W (TC)
FDSS2407S_B82086 Fairchild Semiconductor FDSS2407S_B82086 0,7000
RFQ
 ECAD 783 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDSS24 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.27W (TA) 8-SOIC download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) 62V 3.3a ​​(ta) 110mohm @ 3.3a, 10V 3V A 250µA 4.3NC @ 5V 300pf @ 15V Portão de Nível Lógico
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ATA 1.0000
RFQ
 ECAD 6789 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 - 0000.00.0000 1 40 v 1 a 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FJY3004R Fairchild Semiconductor FJY3004R 0,0300
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
MM5Z8V2 Fairchild Semiconductor MM5Z8V2 0,0200
RFQ
 ECAD 249 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 MM5Z8 200 MW SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 700 Na @ 5 V 8.2 v 15 ohms
RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A 0,5600
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 4a (TC) 5V 600MOHM @ 1A, 5V 2,5V a 250µA 8 nc @ 10 V ± 10V - 30W (TC)
FDP2670 Fairchild Semiconductor FDP2670 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 200 v 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4.5V a 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
BAW76 Fairchild Semiconductor BAW76 1.0000
RFQ
 ECAD 7262 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAW76 Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 50 V 175 ° C (max) 300mA 2pf @ 0V, 1MHz
FMBA14 Fairchild Semiconductor FMBA14 0,1900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FMBA1 700mW SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.21.0095 1.750 30V 1.2a 100na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 1,5V a 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 1,25MHz
ZTX614 Fairchild Semiconductor ZTX614 -
RFQ
 ECAD 3011 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w To-226 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 378 100 v 800 mA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1,25V a 8Ma, 800mA 10000 @ 500MA, 5V -
1MD2 Fairchild Semiconductor 1md2 0,0200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 10.000
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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