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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0,8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 80 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0,2800
RFQ
 ECAD 151 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Duplo) 25V 120mA 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1,5V a 250µA 0,31NC @ 4.5V 11pf @ 10V Portão de Nível Lógico
NDT3055 Fairchild Semiconductor NDT3055 -
RFQ
 ECAD 1770 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 4a (ta) 10V 100mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 250 pf @ 30 V - 1.1W (TA)
BC547TF Fairchild Semiconductor BC547TF 0,0200
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 15.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
2SA2205-E Fairchild Semiconductor 2SA2205-E -
RFQ
 ECAD 4800 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA 800 MW Tp download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-2SA2205-E-600039 1 100 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 240mv @ 100ma, 1a 200 @ 100mA, 5V 300MHz
S2K Fairchild Semiconductor S2K -
RFQ
 ECAD 4949 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão SMB (DO-214AA) download Ear99 8541.10.0080 2.185 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 2 A 1,5 µs 5 µA A 800 V -50 ° C ~ 150 ° C. 2a -
FDD8874 Fairchild Semiconductor FDD8874 0,6600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 18a (ta), 116a (tc) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 2990 PF @ 15 V - 110W (TC)
2N7002W Fairchild Semiconductor 2N7002W 1.0000
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-70-3 (SOT323) download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 60 v 115mA (TA) 5V, 10V 7.5Ohm @ 50Ma, 5V 2V A 250µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
FJN5471TA Fairchild Semiconductor FJN5471TA 0,0200
RFQ
 ECAD 1678 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 327 20 v 5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 3a 700 @ 500mA, 2V 150MHz
2N3904CTA Fairchild Semiconductor 2N3904CTA -
RFQ
 ECAD 2570 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 200 MA - Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
NDS9933A Fairchild Semiconductor NDS9933A -
RFQ
 ECAD 9116 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS993 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 930 2 Canal P (Duplo) 20V 2.8a 140mohm @ 2.8a, 4.5V 1V a 250µA 8.5nc @ 4.5V 405pf @ 10V Portão de Nível Lógico
RF3S49092SM9A Fairchild Semiconductor RF3S49092SM9A 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-6, D²PAK (5 leads + guia), to-263ba RF3S49092 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 50W (TC) TO-263-5 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N E P-Canal 12V 20A (TC), 10A (TC) 60mohm @ 20a, 5v, 140mohm @ 10a, 5v 1V a 250µA 25NC @ 10V, 24NC @ 10V 750pf @ 10V, 775pf @ 10V Portão de Nível Lógico
BC859BMTF Fairchild Semiconductor BC859BMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150MHz
SFU9214TU Fairchild Semiconductor SFU9214TU 0,3200
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 250 v 1.53a (TC) 10V 4ohm @ 770mA, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0,2500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 4.7a (ta) 10V 400mohm @ 2.35a, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 20W (TC)
FQPF6N50C Fairchild Semiconductor FQPF6N50C 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo Fqpf6n - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
HUF75332S3ST Fairchild Semiconductor HUF75332S3ST 0,7800
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 52a (TC) 19mohm @ 52a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 110W (TC)
RF1S70N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM9A 2.2700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Pspice® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 70a, 10V 4V A 250µA 215 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDU8882 Fairchild Semiconductor FDU8882 0,5100
RFQ
 ECAD 9933 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 518 N-canal 30 v 12.6a (ta), 55a (tc) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
FJX3004RTF Fairchild Semiconductor Fjx3004rtf 0,0500
RFQ
 ECAD 2035 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 FJX300 200 MW SC-70-3 (SOT323) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.778 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FDMC6683PZ Fairchild Semiconductor FDMC6683PZ -
RFQ
 ECAD 3427 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície FDMC66 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) - Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 Canal P. 20 v 40A (TC) 2.5V, 4.5V 1,5V a 250µA 74 NC @ 10 V ± 12V 7995 pf @ 10 V - 26W (TC)
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor Flz6v8a 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 mA 1,1 µA A 3,5 V 6,5 v 6,6 ohms
FDMS8050ET30 Fairchild Semiconductor FDMS8050ET30 -
RFQ
 ECAD 3133 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 - 2156-FDMS8050ET30 1 N-canal 30 v 55A (TA), 423A (TC) 4.5V, 10V 0,65mohm @ 55a, 10V 3V A 750µA 285 nc @ 10 V ± 20V 22610 PF @ 15 V - 3.3W (TA), 180W (TC)
MMBF170 Fairchild Semiconductor MMBF170 -
RFQ
 ECAD 4869 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 500mA (TA) 10V 5ohm @ 200Ma, 10V 3V @ 1Ma ± 20V 40 pf @ 10 V - 300mW (TA)
FDB5680 Fairchild Semiconductor FDB5680 1.7400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 40A (TC) 6V, 10V 20mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 65W (TC)
IRFM120A Fairchild Semiconductor IRFM120A -
RFQ
 ECAD 2953 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 89 N-canal 100 v 2.3a (ta) 10V 200mohm @ 1.15a, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 480 pf @ 25 V - 2.4W (TA)
MMBZ5231B_S00Z Fairchild Semiconductor MMBZ5231B_S00Z 1.0000
RFQ
 ECAD 8874 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1
MPSA12 Fairchild Semiconductor MPSA12 0,0500
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 5.000 20 v 100na (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 10µA, 10ma 20000 @ 10MA, 5V -
FPAM50LH60G Fairchild Semiconductor FPAM50LH60G -
RFQ
 ECAD 5732 0,00000000 Semicondutor Fairchild PFC SPM® 2 Volume Obsoleto Através do buraco Módlo de 32-PowerDip (1,370 ", 34,80mm) IGBT - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FPAM50LH60G-600039 1 2 fase 50 a 600 v 2500VRMS
1N4732ATR Fairchild Semiconductor 1n4732atr 0,0300
RFQ
 ECAD 2226 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) download Ear99 8541.10.0050 8.960 10 µA A 1 V 4,7 v 8 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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