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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FDS8672S Fairchild Semiconductor FDS8672S 0,9800
RFQ
 ECAD 363 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 307 N-canal 30 v 18a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10V 3V @ 1Ma 41 nc @ 10 V ± 20V 2670 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQPF5N20L Fairchild Semiconductor FQPF5N20L 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 3.5a (TC) 5V, 10V 1.2OHM @ 1.75A, 10V 2V A 250µA 6,2 nc @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 32W (TC)
FQI16N25CTU Fairchild Semiconductor FQI16N25CTU 0,7200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 250 v 15.6a (TC) 10V 270mohm @ 7.8a, 10V 4V A 250µA 53,5 nc @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 139W (TC)
NDTL01N60ZT1G Fairchild Semiconductor Ndtl01n60zt1g 0,1700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 (TO-261) download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 250mA (TC) 15ohm @ 400ma, 10V 4.5V @ 50µA 4,9 NC a 10 V ± 30V 92 pf @ 25 V - 2W (TC)
MPSA20 Fairchild Semiconductor MPSA20 0,0400
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 250mv @ 1Ma, 10ma 40 @ 5MA, 10V 125MHz
HUF75309P3 Fairchild Semiconductor HUF75309P3 0,4100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
NSVF6003SB6T1G Fairchild Semiconductor NSVF6003SB6T1G -
RFQ
 ECAD 2058 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 800mw 6 cph - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-NSVF6003SB6T1G-600039 1 9dB 12V 150mA Npn 100 @ 50MA, 5V 7GHz 3db @ 1GHz
BD17610STU Fairchild Semiconductor BD17610STU 0,2000
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD176 30 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 3 a 100µA (ICBO) Pnp 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150mA, 2V 3MHz
1N4738A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4738A-T50R 0,0500
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) download Ear99 8541.10.0050 1 10 µA a 6 V 8.2 v 4,5 ohms
KSA614O Fairchild Semiconductor KSA614O 1.0000
RFQ
 ECAD 8695 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 25 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 55 v 3 a 50µA (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 70 @ 500MA, 5V -
1N914_NL Fairchild Semiconductor 1N914_NL 0,0200
RFQ
 ECAD 5289 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.835 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
 ECAD 2883 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS85 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 v 30A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 1Ma 68 nc @ 10 V ± 12V 4350 PF @ 13 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
BAX16 Fairchild Semiconductor BAX16 0,0300
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0070 8.663 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 150 v 650 mV a 1 mA 120 ns 100 Na @ 150 V 175 ° C (max) 200Ma -
FDS6984S Fairchild Semiconductor FDS6984S 1.3800
RFQ
 ECAD 115 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 5.5a, 8.5a 19mohm @ 8.5a, 10V 3V A 250µA 12NC @ 5V 1233pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDMA710PZ Fairchild Semiconductor FDMA710PZ -
RFQ
 ECAD 8028 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download Ear99 8542.29.0095 1 Canal P. 20 v 7.8a (ta) 1.8V, 5V 24mohm @ 7.8a, 5V 1,5V a 250µA 42 NC @ 5 V ± 8V 2015 pf @ 10 V - 900MW (TA)
1N971B Fairchild Semiconductor 1N971B 3.6700
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 82 5 µA a 20,6 V 27 v 41 ohms
KSC838YBU Fairchild Semiconductor KSC838YBU 0,0300
RFQ
 ECAD 1327 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.744 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 120 @ 2MA, 12V 250MHz
BC33716 Fairchild Semiconductor BC33716 0,0700
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
BAV19TR Fairchild Semiconductor Bav19tr 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0070 9.779 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 120 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V 175 ° C (max) 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
MJE210STU-FS Fairchild Semiconductor MJE210STU-FS -
RFQ
 ECAD 5013 0,00000000 Semicondutor Fairchild MJE210 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 15 w SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 25 v 5 a 100na (ICBO) Pnp 1.8V @ 1A, 5A 70 @ 500MA, 1V 65MHz
FDAF69N25 Fairchild Semiconductor FDAF69N25 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 250 v 34a (TC) 10V 41mohm @ 17a, 10V 5V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 30V 4640 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDD6296 Fairchild Semiconductor FDD6296 0,4300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 697 N-canal 30 v 15a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 31,5 nc @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
KSP10TA Fairchild Semiconductor Ksp10ta 0,0400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 350mw TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 7.036 - 25V - Npn 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
BD241BTU Fairchild Semiconductor BD241BTU 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 40 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300µA Npn 1.2V @ 600MA, 3A 25 @ 1A, 4V -
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor FQPF10N50CF 1.3500
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 223 N-canal 500 v 10a (TC) 10V 610mohm @ 5a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2096 PF @ 25 V - 48W (TC)
SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM 0,6400
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 60 v 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 82W (TC)
IRFS840B Fairchild Semiconductor IRFS840B -
RFQ
 ECAD 3949 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 536 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 800MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 44W (TC)
IRFR430BTM Fairchild Semiconductor IRFR430BTM 0,2700
RFQ
 ECAD 264 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.75A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 4.8a (TC) 10V 690mohm @ 2.4a, 10V 5V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
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