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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Corrente - Retificada Média (IO) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
KSP2907ATF Fairchild Semiconductor KSP2907ATF 0,0500
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 6.138 60 v 600 mA 10na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
PN2907TA Fairchild Semiconductor PN2907TA 0,0200
RFQ
 ECAD 101 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
FQB4N20TM Fairchild Semiconductor FQB4N20TM 0,6600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 3.6a (TC) 10V 1.4OHM @ 1.8a, 10V 5V A 250µA 6,5 nc @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
SFS9630 Fairchild Semiconductor SFS9630 0,4100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 200 v 4.4a (TC) 10V 800mohm @ 2.2a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 965 pf @ 25 V - 33W (TC)
FDMA86551L Fairchild Semiconductor FDMA86551L 1.0000
RFQ
 ECAD 7782 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 7.5a (ta) 4.5V, 10V 23mohm @ 7.5a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1235 pf @ 30 V - 2.4W (TA)
FDZ2554P Fairchild Semiconductor FDZ2554P 1.2000
RFQ
 ECAD 89 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 18-WFBGA FDZ25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.1W 18-BGA (2,5x4) download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 20NC @ 4.5V 1900pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDP16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDP16AN08A0 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 357 N-canal 75 v 9a (ta), 58a (tc) 6V, 10V 16mohm @ 58a, 10V 4V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1857 pf @ 25 V - 135W (TC)
MMBZ5223B Fairchild Semiconductor MMBZ5223B 0,0200
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-MMBZ5223B-600039 1 900 mV a 10 mA 75 µA @ 1 V 2,7 v 30 ohms
FLZ15VA Fairchild Semiconductor FLZ15VA 0,0200
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 11 V 13,8 v 13,3 ohms
FGH40N60SFTU Fairchild Semiconductor FGH40N60SFTU 2.4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Ear99 8542.39.0001 122
KST4403MTF Fairchild Semiconductor KST4403MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST44 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 600 mA - Pnp 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
3N256 Fairchild Semiconductor 3N256 1.0000
RFQ
 ECAD 1219 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 1,1 V @ 3,14 A 5 µA A 400 V 2 a Fase Única 400 v
FMG1G75US60H Fairchild Semiconductor FMG1G75US60H 39.0100
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ga 310 w Padrão 19: 00-ga download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 15 Solteiro - 600 v 75 a 2.8V @ 15V, 75A 250 µA Não 7.056 NF @ 30 V
FQPF7N10L Fairchild Semiconductor FQPF7N10L 0,2700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 5.5a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 2.75a, 10V 2V A 250µA 6 nc @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 23W (TC)
HUFA75339P3 Fairchild Semiconductor HUFA75339P3 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FJX4008RTF Fairchild Semiconductor Fjx4008rtf 0,0500
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
MMBTA05 Fairchild Semiconductor MMBTA05 -
RFQ
 ECAD 5097 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA05 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 MA 100na Npn 250mv @ 10ma, 100mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
PN2907TFR Fairchild Semiconductor Pn2907tfr 1.0000
RFQ
 ECAD 2187 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
FDP10AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP10AN06A0 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 60 v 12a (ta), 75a (tc) 6V, 10V 10.5mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 1840 pf @ 25 V - 135W (TC)
FGPF70N30TTU Fairchild Semiconductor FGPF70N30TTU 1.2100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 49,2 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 - Trincheira 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
BD681S Fairchild Semiconductor BD681S 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD681 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 100 v 4 a 500µA NPN - Darlington 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
FQAF12P20 Fairchild Semiconductor FQAF12P20 0,7700
RFQ
 ECAD 2377 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 124 Canal P. 200 v 8.6a (TC) 10V 470mohm @ 4.3a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 70W (TC)
FDP100N10 Fairchild Semiconductor FDP100N10 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 159 N-canal 100 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10V 4.5V a 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 208W (TC)
FDS3992 Fairchild Semiconductor FDS3992 -
RFQ
 ECAD 3710 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS39 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) 100V 4.5a 62mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 15NC @ 10V 750pf @ 25V -
FDB14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDB14AN06LA0 1.0000
RFQ
 ECAD 7597 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 10a (ta), 67a (tc) 5V, 10V 11.6mohm @ 67a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2900 pf @ 25 V - 125W (TC)
HUFA75343P3 Fairchild Semiconductor HUFA75343P3 0,7800
RFQ
 ECAD 643 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDS9945 Fairchild Semiconductor FDS9945 -
RFQ
 ECAD 2555 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS99 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1W (TA) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) 60V 3.5a (ta) 100mohm @ 3.5a, 10V 3V A 250µA 13NC @ 5V 420pf @ 30V Portão de Nível Lógico
FQPF2N70 Fairchild Semiconductor FQPF2N70 0,6300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 700 v 2a (TC) 10V 6.3OHM @ 1A, 10V 5V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 28W (TC)
FQB27N25TM Fairchild Semiconductor FQB27N25TM 1.3000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FQB27 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 250 v 25.5a (TC) 10V 131mohm @ 25.5a, 10V 5V A 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 417W (TJ)
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 47a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
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